[发明专利]一种电致变色和红外变发射材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201010511400.0 申请日: 2010-10-19
公开(公告)号: CN102030983A 公开(公告)日: 2011-04-27
发明(设计)人: 贾春阳;涂亮亮;翁小龙;邓龙江 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C08L79/02 分类号: C08L79/02;C08G73/02;C08J5/18;C25B3/00;C09K9/02
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 变色 红外 发射 材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种电致变色和红外变发射材料的制备方法,包括以下步骤:

步骤1:衬底清洗备用;首先将市售ITO玻璃裁成均匀大小的ITO玻璃衬底,然后将ITO玻璃衬底依次在去离子水、无水乙醇中充分超声清洗,清洗完成后储存在无水乙醇中备用;

步骤2:铜片清洗备用;采用与ITO玻璃衬底的铜片采用,先除去铜片表面的氧化物,经表面打磨后,依次在去离子水、无水乙醇超声清洗后备用;

步骤3:配制电化学循环伏安法沉积电致变色和红外变发射材料所需溶液;所述溶液的配制采用去离子水、十二烷基苯磺酸钠和邻甲氧基苯胺配制,首先将去离子水盛于容器中,然后依次加入十二烷基苯磺酸钠和邻甲氧基苯胺,其中去离子水、十二烷基苯磺酸钠、邻甲氧基苯胺的质量比为170∶0.1∶1.3,搅拌均匀后滴加酸类pH值调节剂,使溶液pH值保持为1~2之间,得到溶液A;

步骤4:采用电化学循环伏安法在ITO玻璃衬底上制备电致变色和红外变发射材料;将步骤1处理后的ITO玻璃衬底取出吹干后放入步骤2所配制的溶液A中作为工作电极,同时将步骤2处理后的铜片放入步骤2所配制的溶液A中作为对电极,采用循环伏安法进行薄膜沉积,得到最终的电致变色和红外变发射材料为聚邻甲氧基苯胺薄膜;具体循环伏安法进行薄膜沉积的工艺条件为,1)电压范围:-0.5~+1.4V;2)扫描圈数:20~40圈。

2.一种电致变色和红外变发射材料的制备方法,包括以下步骤:

步骤1:衬底清洗备用;首先将市售ITO玻璃裁成均匀大小的ITO玻璃衬底,然后将ITO玻璃衬底依次在去离子水、无水乙醇中充分超声清洗,清洗完成后储存在无水乙醇中备用;

步骤2:铜片清洗备用;采用与ITO玻璃衬底的铜片采用,先除去铜片表面的氧化物,经表面打磨后,依次在去离子水、无水乙醇超声清洗后备用;

步骤3:配制电化学循环伏安法沉积电致变色和红外变发射材料所需溶液;所述溶液的配制采用去离子水、十二烷基苯磺酸钠、邻甲氧基苯胺和苯胺配制,首先将去离子水盛于容器中,然后依次加入十二烷基苯磺酸钠、邻甲氧基苯胺和苯胺,其中邻甲氧基苯胺和苯胺的加入量为等摩尔量,去离子水、十二烷基苯磺酸钠、邻甲氧基苯胺的质量比为170∶0.1∶1.3,搅拌均匀后滴加酸类pH值调节剂,使溶液pH值保持为1~2之间,得到溶液B;

步骤4:采用电化学循环伏安法在ITO玻璃衬底上制备电致变色和红外变发射材料;将步骤1处理后的ITO玻璃衬底取出吹干后放入步骤2所配制的溶液B中作为工作电极,同时将步骤2处理后的铜片放入步骤2所配制的溶液B中作为对电极,采用循环伏安法进行薄膜沉积,得到最终的电致变色和红外变发射材料为聚邻甲氧基苯胺和聚苯胺的共聚物薄膜;具体循环伏安法进行薄膜沉积的工艺条件为,1)电压范围:-0.5~+1.4V;2)扫描圈数:20~40圈。

3.一种电致变色和红外变发射材料的制备方法,包括以下步骤:

步骤1:衬底清洗备用;首先将市售ITO玻璃裁成均匀大小的ITO玻璃衬底,然后将ITO玻璃衬底依次在去离子水、无水乙醇中充分超声清洗,清洗完成后储存在无水乙醇中备用;

步骤2:铜片清洗备用;采用与ITO玻璃衬底的铜片采用,先除去铜片表面的氧化物,经表面打磨后,依次在去离子水、无水乙醇超声清洗后备用;

步骤3:配制电化学循环伏安法沉积电致变色和红外变发射材料所需溶液;所述溶液的配制采用去离子水、十二烷基苯磺酸钠、邻甲氧基苯胺和邻硝基苯胺配制,首先将去离子水盛于容器中,然后依次加入十二烷基苯磺酸钠、邻甲氧基苯胺和邻硝基苯胺,其中邻甲氧基苯胺和邻硝基苯胺的加入摩尔量之比为35∶1,去离子水、十二烷基苯磺酸钠、邻甲氧基苯胺的质量比约为170∶0.1∶1.3,搅拌均匀后滴加酸类pH值调节剂,使溶液pH值保持为1~2之间,得到溶液C;

步骤4:采用电化学循环伏安法在ITO玻璃衬底上制备电致变色和红外变发射材料;将步骤1处理后的ITO玻璃衬底取出吹干后放入步骤2所配制的溶液C中作为工作电极,同时将步骤2处理后的铜片放入步骤2所配制的溶液C中作为对电极,采用循环伏安法进行薄膜沉积,得到最终的电致变色和红外变发射材料为聚邻甲氧基苯胺和聚邻硝基苯胺的共聚物薄膜;具体循环伏安法进行薄膜沉积的工艺条件为,1)电压范围:-0.5~+1.4V;2)扫描圈数:20~40圈。

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