[发明专利]一种采用水热法在铜基底上制备纳米Cu2-xSe阵列的方法

权利要求书

1.一种采用水热法在铜基底上制备纳米Cu_2-xSe阵列的方法，包括：

(1)将铜基底放入10～40wt％浓盐酸中浸泡1秒钟～10分钟，用去离子水洗涤表面，再将其在有机溶剂A中超声洗涤1分钟～1小时，烘干后备用；

(2)将硒粉按摩尔比1∶1～1∶5超声溶解在氢氧化钠或氢氧化钾溶液中，，得到硒粉氢氧化钠或氢氧化钾溶液；

(3)将经步骤(1)处理后的铜基底与步骤(2)得到的溶液混合于容器中，加入1～20ml生长导向剂，然后添加去离子水或有机溶剂B至容器体积的4/5～24/25，于20～200℃反应0.5～50小时；待反应结束，取出铜基底，用乙醇洗涤，干燥后，即得到在铜基底上的纳米Cu_2-xSe阵列。

2.根据权利要求1所述的一种采用水热法在铜基底上制备纳米Cu_2-xSe阵列的方法，其特征在于：所述步骤(1)中的铜基底表面需打磨，有机溶剂A为乙醇、丙酮或乙醚。

3.根据权利要求1所述的一种采用水热法在铜基底上制备纳米Cu_2-xSe阵列的方法，其特征在于：所述步骤(2)中的氢氧化钠或氢氧化钾溶液浓度为1×10^-3～20mol/L。

4.根据权利要求1所述的一种采用水热法在铜基底上制备纳米Cu_2-xSe阵列的方法，其特征在于：所述步骤(3)中的生长导向剂为聚乙二醇、PVP、氨水、乙二胺、聚乙烯醇中的一种或几种，浓度为1×10^-4～5mol/L。

5.根据权利要求1所述的一种采用水热法在铜基底上制备纳米Cu_2-xSe阵列的方法，其特征在于：所述步骤(3)中的有机溶剂B为甲醇、乙醇、乙二醇、丙三醇中的一种或几种。

6.根据权利要求1所述的一种采用水热法在铜基底上制备纳米Cu_2-xSe阵列的方法，其特征在于：所述得到的纳米Cu_2-xSe阵列形貌为一维或二维。