[发明专利]半导体紫外探测传感器及其制备方法有效
申请号: | 201010508591.5 | 申请日: | 2010-10-13 |
公开(公告)号: | CN102110735A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 秦勇;白所;吴巍炜 | 申请(专利权)人: | 兰州大学 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;G01J1/42;H01L31/0224;H01L31/0203;H01L31/18 |
代理公司: | 兰州振华专利代理有限责任公司 62102 | 代理人: | 张晋 |
地址: | 730000 *** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 紫外 探测 传感器 及其 制备 方法 | ||
1.半导体紫外探测传感器,由基板、负载于基板上的电极和位于电极之间的并联集成的氧化锌纳米线构成,其特征是电极为两个各呈梳齿状且相向布置的电极,其中一个电极的梳齿插入另一个电极的两个梳齿之间,形成齿插状,在相邻的两个梳齿之间均并联集成着氧化锌纳米线。
2.权利要求1所述的半导体紫外探测传感器,其特征在于在电极与氧化锌纳米线的上面和下面分别设有基板与封装片材,且基板与封装材中至少有一个为可透过紫外光的材料,基板与封装层的边缘用绝缘胶封闭。
3.权利要求2所述的半导体紫外探测传感器的制备方法,其特征在于:在基片上生长出一层垂直于基片表面的氧化锌纳米线阵列,然后将基片上的氧化锌纳米线阵列转移一个作为基板的片材的表面,并使纳米线平行于基板片材的表面,在这一基板片材上或者事先制备有梳齿相插的梳齿形电极,或者在将氧化锌纳米线转移到基板片材上后再在其上制备出梳齿相插的梳齿形电极,分别在两个电极上连接导线,然后在所述的基板片材上覆盖一封装片材,再将基板片材与封装片材的边缘用绝缘胶封闭固化,得到所需的器件,所用的基板片材与封装片材中至少有一个是可透过紫外光的材料。
4.权利要求3所述的半导体紫外探测传感器的制备方法,其特征在于:将洗净干燥的基板片材表面旋涂上一层柔性聚合物,再烘烤至凝固;在基片上生长出一层垂直于基片表面的氧化锌纳米线阵列;将基片长有氧化锌纳米线的一面覆盖于基板片材上带有柔性聚合物的一面,在基片与基板片材面上施加大于100Pa的正压力,同时沿同一方向使基片滑过涂覆在基板片材上的柔性聚合物表面,使氧化锌纳米线转移到涂覆有柔性聚合物的基板片材上;取一个封装片材洗净并干燥处理,在其一个表面旋涂一层光刻胶,光刻胶干燥后用光刻机对光刻胶进行曝光,得到两个各呈梳齿形的且梳齿相插的电极图形,然后通过物理或化学方法在电极图形上形成金属电极,经剥离光刻胶后在电极上分别连接导线,然后在基板片材上负载有氧化锌纳米线的面上覆盖封装片材,并使封装片材上的金属电极与氧化锌纳米线相接触,在基板片材与封装片材上施加一个正压力,使基板片材与封装片材间贴紧,再将基板片材与封装片材的边缘用绝缘胶封闭固化,得到所需的器件,所用的基板片材与封装片材中至少有一个是可透过紫外光的材料。
5.权利要求3所述的半导体紫外探测传感器的制备方法,其特征在于:将基板片材洗净吹干,在其一个表面上旋涂一层光刻胶,光刻胶干燥后用光刻机对光刻胶进行曝光,得到两个各呈梳齿形的且梳齿相插的电极图形,然后通过物理或化学方法在电极图形上形成金属电极,剥离光刻胶后,得到一个其上负载有两条电极的基板片材,在电极上分别连接导线;在基片上生长出一层垂直于基片表面的氧化锌纳米线阵列;将所得到的其上生长有一层垂直于表面的氧化锌纳米线阵列的基片正对基板片材负载有插指型电极的一面,再在基片与基板片材上施加大于100Pa的正压力,同时沿同一方向使第一基片滑过基板片材表面,使氧化锌纳米线被转移到基板片材上,并使氧化锌纳米线的两端位于指插电极的齿上;取一片封装片材洗净吹干后,再在其表面旋涂上一层柔性聚合物并烘烤至凝固,然后将涂覆有柔性聚合物的一面置于基板片材上负载有氧化锌纳米线的面上,在基板片材与封装片材上施加一个正压力,使基板片材与封装片材间贴紧,再将基板片材与封装片材的边缘用绝缘胶封闭固化,得到所需的器件,所用的基板片材与封装片材中至少有一个是可透过紫外光的材料。
6.权利要求3所述的半导体紫外探测传感器的制备方法,其特征在于:在基片上生长出一层垂直于基片表面的氧化锌纳米线阵列;将基板片材洗净吹干,将所得到的其上生长有氧化锌纳米线的基片产物面正对基板片材,再在基片与基板片材上施加大于100Pa的正压力,同时沿同一方向使基片滑过基板片材的表面,使基片上的氧化锌纳米线被转移到基板片材上;再在基板片材上负载有氧化锌纳米线的表面旋涂一层光刻胶,光刻胶干燥后用光刻机对光刻胶进行曝光,得到两个各呈梳齿形的且梳齿相插的电极图形,然后通过物理或化学方法在电极图形上形成金属电极,剥离光刻胶后,在电极上分别连接导线,取一个封装片材覆盖于基板片材负载有氧化锌纳米线与电极的一面,在基板片材与封装片材上施加一个正压力,使基板片材与封装片材间贴紧,再将基板片材与封装片材的边缘用绝缘胶封闭固化,得到所需的器件,所用的基板片材与封装片材中至少有一个是可透紫外光的材料。
7.权利要求3至6所述的任一方法所采用的在基片上生长出氧化锌纳米线的方法,其特征是化学气相沉积法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的