[发明专利]一种低介电常数介质与铜互连的结构及其集成方法

权利要求书

1.一种低介电常数介质与铜互连的结构，其特征在于，该结构包括至少一条金属导线，以及位于所述金属导线之下的绝缘体支撑结构；并且，

在多条金属导线之间有孔洞；

在绝缘体支撑结构之间也有孔洞。

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述的金属导线为铜，或者由铜和扩散阻挡层组成的复合导线，或者钨，或者由钨和扩散阻挡层组成的复合导线。

3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述的绝缘体支撑结构，是由绝缘体材料组成的柱状或者条状结构，支撑绝缘体位于被支撑的金属之下，以维持所述金属的形状。

4.根据权利要求3所述的结构，其特征在于，所述的绝缘体材料是碳化硅或者聚合物材料。

5.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述的绝缘体支撑结构是由绝缘材料组成的柱状或者条状结构。

6.一种低介电常数介质与铜互连的集成方法，其特征在于，具体步骤包括：

提供一个衬底；

依次在该衬底上形成由第一种材料构成的第一种薄膜；

在第一层薄膜中开孔状的口；

淀积第一层支撑绝缘体并平坦化；

淀积第二层支撑绝缘体并开第二个开口；

在第二层支撑绝缘体上形成绝缘薄膜；

形成铜互连的大马士革或者双大马士革图形；

将除支撑绝缘体之外的介质去除。

7.根据权利要求6的方法，其特征在于，所述支撑绝缘体为所述的绝缘体材料是碳化硅或者聚合物材料。

8.根据权利要求6的方法，其特征在于，在去除除支撑绝缘体之外的介质后形成孔洞结构。

9.根据权利要求6的方法，其特征在于，支撑绝缘体位于被支撑的金属之下，以维持所述金属的形状。