[发明专利]制作垂直二极管的方法无效
| 申请号： | 201010508096.4 | 申请日： | 2010-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN102446760A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 沈忆华;宋化龙;涂火金 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作 垂直 二极管 方法 | ||
1.一种制作垂直二极管的方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬基的表面上形成一介质层；
去除所述衬基内第一型掺杂离子掺杂区表面上的介质层，在所述衬基表面上的介质层内形成窗口；
在所述介质层的表面以及所述窗口的侧壁和底面形成一氮化硅层；
去除所述介质层的表面以及所述窗口的底面上的氮化硅层，在所述窗口的侧壁形成一保护侧墙；
在所述窗口内选择性沉积外延层；
对所述外延层进行第二型掺杂离子的重掺杂，掺杂后进行退火处理，形成垂直二极管。
2.如权利要求1所述的制作垂直二极管的方法，其特征在于，采用原子层沉积法在所述介质层的表面以及所述窗口的侧壁和底面沉积氮化硅层。
3.如权利要求1或2所述的制作垂直二极管的方法，其特征在于，在温度为350～550℃、气压为20～1000Pa的条件下，通入二氯二氢硅气体和氨气，由二氯二氢硅和氨气反应生成氮化硅。
4.如权利要求3所述的制作垂直二极管的方法，其特征在于，所述二氯二氢硅气体的流速为0.1～1.5slm，所述氨气的流速为0.5～10slm。
5.如权利要求1或2所述的制作垂直二极管的方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为10～300埃。
6.如权利要求1或2所述的制作垂直二极管的方法，其特征在于，采用各向异性刻蚀刻蚀掉所述介质层表面上的氮化硅层以及所述窗口底面上的氮化硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
