[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201010507166.4 | 申请日： | 2010-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102447041A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 胡必强;张超雄 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/60;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管封装结构，包括基板、发光二极管芯片和封装层，其特征在于，所述基板包括电路结构，所述基板材料为掺陶瓷粉末的塑料，所述发光二极管芯片贴设于所述基板上，并与所述电路结构电性连接，所述封装层覆盖于所述基板上，包覆所述发光二极管芯片。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述基板的材料中掺杂的陶瓷粉末直径小于10微米。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述基板的材料中掺杂的陶瓷粉末直径为纳米级别。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述基板的材料中掺杂的陶瓷粉末的含量比例为5％-40％。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述基板通过压膜射出成型的方法形成。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述发光二极管封装结构还具有环绕所述发光二极管芯片的反射杯。
7.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：
提供一掺陶瓷粉末的塑料基底，所述基底可以分为多个基板，每个基板包括有电路结构；
将发光二极管芯片设置在每个所述基板上，与相对应的所述电路结构电连接；
将封装层覆盖在所述基底上，包覆所述发光二极管芯片；
切割所述基底，形成多个发光二极管封装结构。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：提供所述基底之后，还包括步骤：在所述基板上设置反射杯，与所述基板一起围成一个容置腔。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：将封装层覆盖在所述基底上，同时填满所述容置腔。
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