[发明专利]减少晶片边缘颗粒缺陷的方法

权利要求书

1.一种减少晶片边缘颗粒缺陷的方法，应用于半导体器件的前段制造工艺中，该方法包括：

在半导体衬底表面上依次涂布六甲基二硅氮烷HMDS、底部抗反射层、第一光阻胶层以及顶部涂层；其中，HMDS、底部抗反射层、第一光阻胶层以及顶部涂层还附着于晶片边缘的厚度方向上；

对顶部涂层和第一光阻胶层进行浸没式光刻，以及以所述浸没式光刻后的第一光阻胶层图案为掩膜进行半导体衬底的刻蚀之后，形成浅沟槽隔离区；

在浅沟槽隔离区内填充氧化物之后，在半导体衬底表面沉积栅氧化层材料；

在栅氧化层材料表面涂布第二光阻胶层；

对所述第二光阻胶层进行光刻，以及以所述光刻后的第二光阻胶层图案为掩膜进行栅氧化层材料的湿法刻蚀之后，形成栅氧化层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在涂布顶部涂层之后，对顶部涂层和第一光阻胶层进行浸没式光刻之前，该方法进一步包括：对晶片边缘的厚度方向上的HMDS、底部抗反射层、第一光阻胶层以及顶部涂层进行清洗。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述清洗采用等离子水或者丙烯乙二醇以太醋酸盐PGMEA或者乙烯二醇一甲胺以太醋酸盐EGMEA。