[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 201010505879.7 | 申请日： | 2010-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102169827A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 小林和雄 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，具有如下工序：
(a)在SiC衬底上导入氢以及氧；
(b)在所述SiC衬底上使所述氢以及氧发生燃烧反应，利用所述燃烧反应在所述SiC衬底表面形成硅氧化膜。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述工序(a)、(b)是使用灯照射型单晶片氧化装置进行的，该灯照射型单晶片氧化装置在所述SiC衬底上照射光，从而在所述SiC衬底上形成温度比周围高的高温环境。
3.如权利要求1或者2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还具有如下工序：
(c)对所述SiC衬底表面进行干氧化，另外形成硅氧化膜。
4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述工序(c)在所述工序(b)之后进行。
5.如权利要求1或者2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述工序(b)之后还具有：利用CVD对SiC衬底表面进行氧化膜形成，另外形成硅氧化膜的工序(c)。
6.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述工序(a)、(b)、(c)使用不使所述SiC衬底暴露在大气环境中就能进行工序转移的结构的装置进行。
7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
使用权利要求3所述的半导体装置的制造方法在所述SiC衬底上形成100nm以上的栅极氧化膜时，
利用所述工序(b)，形成20nm以下的所述硅氧化膜作为所述栅极绝缘膜，
利用所述工序(c)，形成剩余的膜厚部分的所述硅氧化膜作为所述栅极氧化膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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