[发明专利]在SONOS非挥发性存储器工艺中嵌入高压器件的方法有效
| 申请号： | 201010503967.3 | 申请日： | 2010-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102446851A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 熊涛;罗啸;陈瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sonos 挥发性 存储器 工艺 嵌入 高压 器件 方法 | ||
1.一种在SONOS非挥发性存储器工艺中嵌入高压器件的方法，其特征在于：包括如下步骤：
(1)先为在衬底上进行场氧化区的制备，接着在衬底上生长衬垫氧化层，而后进行高压器件区的栅氧化层生长前的工艺步骤；
(2)接着生长高压器件区的栅氧化层；
(3)之后进行低压器件区中栅氧化层生长前的工艺步骤；
(4)紧接着为SONOS非挥发性存储器区隧道窗口注入，之后刻蚀去除SONOS非挥发性存储器区表面的衬垫氧化层；
(5)在整个衬底上生长ONO介质层；
(6)去除高压器件区上的ONO介质层；
(7)采用光刻胶保护非挥发性存储器区的ONO介质层和高压器件区的栅氧化层，去除衬底上的ONO介质层和衬底上的衬垫氧化层，之后去除光刻胶；
(8)最后生长低压器件区的栅氧化层。
2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)和步骤(8)的栅氧化层生长均采用热氧化生长法，其中步骤(2)中高压器件区的栅氧化层比步骤(8)中低压器件区的栅氧化层厚。
3.按照权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)具体为：先在衬底上生长氮化硅作硬掩膜层；而后采用光刻工艺定义出需要生长栅氧化层的区域，刻蚀去除位于所述栅氧化层区域的硬掩膜层，露出硅衬底；接着采用热氧化生长栅氧化层；最后去除硬掩膜层。
4.一种在SONOS非挥发性存储器工艺中嵌入高压器件的方法，其特征在于：包括如下步骤：
(1)先为在衬底上进行场氧化区的制备，接着在衬底上生长衬垫氧化层，而后进行高压器件区的栅氧化层生长前的工艺步骤；
(2)接着生长高压器件区的栅氧化层；
(3)之后进行低压器件区中栅氧化层生长前的工艺步骤；
(4)紧接着为SONOS非挥发性存储器区隧道窗口注入，之后刻蚀去除SONOS非挥发性存储器区表面的衬垫氧化层；
(5)在整个衬底上生长ONO介质层；
(6)去除高压器件区上的ONO介质层；
(7)采用光刻胶保护非挥发性存储器区和高压器件区，去除ONO介质层和衬底上的衬垫氧化层，之后去除光刻胶；
(8)最后生长低压器件区的栅氧化层。
5.按照权利要求4所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)和步骤(8)的栅氧化层生长均采用热氧化生长法，其中步骤(2)中高压器件区的栅氧化层比步骤(8)中低压器件区的栅氧化层厚。
6.按照权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)具体为：先在衬底上生长氮化硅作硬掩膜层；而后采用光刻工艺定义出需要生长栅氧化层的区域，刻蚀去除位于所述栅氧化层区域的硬掩膜层，露出硅衬底；接着采用热氧化生长栅氧化层；最后去除硬掩膜层。
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