[发明专利]一种采用原子层淀积AlN/高k栅介质双层结构的方法无效
| 申请号： | 201010503879.3 | 申请日： | 2010-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102005380A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 谭葛明;王鹏飞;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 原子 层淀积 aln 介质 双层 结构 方法 | ||
1.一种采用原子层淀积AlN/高k栅介质双层结构的方法，其特征在于具体步骤包括：
(1)将清洗后的半导体衬底装入ALD反应腔；
(2)采用原子层淀积的方法淀积AlN钝化层；
(3)继续在ALD反应腔中淀积高k栅介质层。
2.根据权利要求1所述的采用原子层淀积AlN/高k栅双层介质结构的方法，其特征在于，进行淀积AlN钝化层时，采用铝的反应源作为铝的前躯体，氮的反应源作为氮的前躯体，惰性气体作为输运反应源的载气，淀积温度为100-450℃，ALD反应腔压强为0.1-5 torr。
3.根据权利要求2所述的采用原子层淀积AlN/高k栅介质双层结构的方法，其特征在于，铝的前躯体采用三甲基铝，氮的前躯体采用NH3，载气采用氮气。
4.根据权利要求1或3所述的采用原子层淀积AlN/高k栅介质双层结构的方法，其特征在于，所述AlN钝化层的厚度为0.5-2.5纳米，淀积周期数为3-8个。
5.根据权利要求4所述的采用原子层淀积AlN/高k栅介质双层结构的方法，其特征在于，进行淀积AlN钝化层时，淀积一次AlN的反应周期包括：0.1-20秒的铝源气体脉冲时间，0.5-90秒的惰性气体吹洗残留的TMA时间，0.1-25秒的NH3脉冲时间，0.5-90秒的残余NH3以及生成物CH4的吹洗时间。
6.根据权利要求1所述的采用原子层淀积AlN/高k栅介质双层结构的方法，其特征在于，所述的半导体衬底的材料为Si、Ge、GexSi1-x、GaAs、InGaAs、InP、GaN或GaP。
7.根据权利要求1所述的采用原子层淀积AlN/高k栅介质结构的方法，其特征在于，所述的高k栅介质的材料为Ta2O5、Pr2O3、TiO2、HfO2、La2O3或ZrO2。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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