[发明专利]负载驱动电路及多负载反馈电路

权利要求书

1.一种多负载反馈电路，用以使一负载驱动电路调整驱动并联的多个负载的电力，其特征在于，该多负载反馈电路包含：

多个半导体开关，每一该半导体开关具有一第一端、一第二端及一第三端，所述的这些第一端对应耦接多个参考电位，所述的这些第二端对应耦接至该多个负载中的一对应负载，所述的这些第三端彼此耦接以根据该多个导通中的半导体开关的每一导通状态产生一侦测信号，使该负载驱动电路据此调整驱动该多个负载的电力。

2.如权利要求1所述的多负载反馈电路，其特征在于，更包含一判断电路，用以根据该侦测信号产生一反馈信号，使该负载驱动电路根据该反馈信号调整驱动该多个负载的电力。

3.如权利要求1或2所述的多负载反馈电路，其特征在于，每一该半导体开关包含一第一金氧半场效应晶体管及一第二金氧半场效应晶体管，其中该第一金氧半场效应晶体管的漏极及该第二金氧半场效应晶体管的漏极电性连接，该第一金氧半场效应晶体管的栅极及该第二金氧半场效应晶体管的栅极对应耦接该多个参考电位其中的一参考电位，该第一金氧半场效应晶体管的源极耦接至该多个负载中的对应负载，以及该第一金氧半场效应晶体管的体二极管与该第二金氧半场效应晶体管的体二极管彼此为反向。

4.如权利要求1或2所述的多负载反馈电路，其特征在于，每一该半导体开关包含一第一金氧半场效应晶体管及一第二金氧半场效应晶体管，其中该第一金氧半场效应晶体管的漏极及该第二金氧半场效应晶体管的漏极电性连接，该第一金氧半场效应晶体管的栅极与源极电性连接，该第二金氧半场效应晶体管的栅极对应耦接该多个参考电位其中的一参考电位，该第一金氧半场效应晶体管的源极耦接至该多个负载中的一对应负载，以及该第一金氧半场效应晶体管的体二极管与该第二金氧半场效应晶体管的体二极管彼此为反向。

5.如权利要求1或2所述的多负载反馈电路，其特征在于，每一该半导体开关包含一金氧半场效应晶体管，每一该金氧半场效应晶体管的栅极对应耦接该多个参考电位其中的一参考电位，每一该金氧半场效应晶体管的源极耦接至该多个负载中的一对应负载，以及每一该金氧半场效应晶体管的基底接地。

6.如权利要求1或2所述的多负载反馈电路，其特征在于，每一该半导体开关包含一双极性晶体管，每一该双极性晶体管的发射极及基极其中的一对应耦接该多个参考电位其中的一参考电位，以及每一该双极性晶体管的发射极及基极的另一耦接至该多个负载中的对应负载。

7.如权利要求6所述的多负载反馈电路，其特征在于，更包含多个二极管，其中每一该二极管耦接于该多个双极性晶体管中对应双极性晶体管及该多个负载中对应负载之间。

8.如权利要求6所述的多负载反馈电路，其特征在于，更包含多组二极管，其中每一组二极管包含一第一二极管及一第二二极管，该第一二极管耦接于该多个双极性晶体管中对应双极性晶体管及该多个参考电位中对应参考电位之间，以及该第二二极管耦接于多个双极性晶体管中对应双极性晶体管之集极。

9.如权利要求2所述的多负载反馈电路，其特征在于，该判断电路包含一比较器，该比较器的反相端接收该侦测信号，该比较器的非反相端接收一共同参考电位。

10.如权利要求9所述的多负载反馈电路，其特征在于，该判断电路包含一比较器及一晶体管开关，该晶体管开关具有一第一端、一第二端及一控制端，该第一端耦接一驱动电压，该控制端耦接该共同参考电位，该第二端耦接该比较器的非反相端，以及该比较器的反相端接收该侦测信号。

11.如权利要求9所述的多负载反馈电路，其特征在于，该共同参考电位的电平高于任一该多个参考电位的电平。

12.如权利要求11所述的多负载反馈电路，其特征在于，该多个参考电位为相同电位。