[发明专利]光发射装置与应用它的发光二极管打印头无效
| 申请号： | 201010503547.5 | 申请日： | 2010-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102447037A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 吴明哲 | 申请（专利权）人： | 环旭电子股份有限公司;环鸿科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/60;F21V5/04;F21V7/00;B41J2/45;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 薛琦;朱水平 |
| 地址： | 201203 上海市张江高*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发射 装置 应用 发光二极管 打印头 | ||
1.一种光发射装置，其特征在于，所述光发射装置包括：
硅光学平台，具有凹槽，所述凹槽具有第一反射面、底部与第二反射面，所述第一反射面与所述第二反射面分别位于所述底部的两侧并形成凹槽开口，其中所述凹槽开口的宽度大于所述底部的宽度；
自聚焦透镜阵列，设置于所述底部上并位于所述第一反射面与所述第二反射面之间；
上壳体，用以覆盖所述凹槽开口，所述上壳体具有透光区，所述透光区对应于所述第二反射面；以及
至少一光源，设置于所述上壳体的内侧面上并对应于所述第一反射面。
2.如权利要求1所述的光发射装置，其特征在于：所述第一反射面用于反射所述光源所发出的光线，所述自聚焦透镜阵列将所述第一反射面所反射的光线引导至所述第二反射面，所述第二反射面所反射的光线则通过所述透光区。
3.如权利要求1所述的光发射装置，其特征在于：所述光源位于所述第一斜面在所述上壳体的正投影区域中。
4.如权利要求1所述的光发射装置，其特征在于：所述透光区位于所述第二斜面在所述上壳体的正投影区域中。
5.如权利要求1所述的光发射装置，其特征在于：所述光源包括发光二极管阵列。
6.如权利要求1所述的光发射装置，其特征在于：所述自聚焦透镜阵列包括多个透镜。
7.一种发光二极管打印头，其特征在于，所述发光二极管打印头包括：
壳体；以及
至少一光发射装置，设置于所述壳体中，其中每一光发射装置包括：
硅光学平台，具有凹槽，所述凹槽具有第一反射面、底部与第二反射面，所述第一反射面与所述第二反射面分别位于所述底部的两侧并形成凹槽开口，其中所述凹槽开口的宽度大于所述底部的宽度；
自聚焦透镜阵列，设置于所述底部上并位于所述第一反射面与所述第二反射面之间；
上壳体，用以覆盖所述凹槽开口，所述上壳体具有透光区，所述透光区对应于所述第二反射面；以及
发光二极管阵列，设置于所述上壳体的内侧面上并对应于所述第一反射面。
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