[发明专利]用于氮化镓肖特基生化传感器的接触电极及其制备方法

权利要求书

1.用于氮化镓肖特基生化传感器的接触电极，其特征在于：该肖特基接触电极的材料为石墨烯，该石墨稀构成的肖特基接触电极含有石墨单原子层数为1～20层。

2.根据权利要求1所述的用于氮化镓肖特基生化传感器的接触电极，其特征在于：所述的石墨稀构成的肖特基接触电极含有石墨单原子层数为2层。

3.根据权利要求1所述的用于氮化镓肖特基生化传感器的接触电极，其特征在于：所述的石墨稀构成的肖特基接触电极含有石墨单原子层数为12层。

4.根据权利要求1所述的用于氮化镓肖特基生化传感器的接触电极，其特征在于：所述的石墨稀构成的肖特基接触电极含有石墨单原子层数为19层。

5.根据权利要求1所述的用于氮化镓肖特基生化传感器的接触电极，其特征在于：所述的石墨稀构成的肖特基接触电极含有石墨单原子层数为3层。

6.根据权利要求1所述的用于氮化镓肖特基生化传感器的接触电极，其特征在于：所述的石墨稀构成的肖特基接触电极含有石墨单原子层数为14层。

7.根据权利要求1所述的用于氮化镓肖特基生化传感器的接触电极，其特征在于：所述的石墨稀构成的肖特基接触电极含有石墨单原子层数为20层。

8.根据权利要求1所述的用于氮化镓肖特基生化传感器的接触电极的制备方法，其特征在于：将需要制备肖特基接触电极的氮化镓生化传感器部件进行有机清洗，即在60～80℃温度下用纯四氯化碳和纯丙酮分别预清洗氮化镓生化传感器部件8～12min，再用纯四氯化碳、纯丙酮和纯乙醇用超声清洗机分别对该氮化镓生化传感器部件超声清洗8～12min，接着用去离子水清洗该氮化镓生化传感器部件后用烘干机烘干，然后以二氧化硅作为掩模，将氮化镓生化传感器部件不需要制作电极的区域覆盖起来，接着对准备制作肖特基电极的部分表面进行表面处理，表面处理的方法是将氮化镓生化传感器部件在质量浓度5％～10％的盐酸中清洗40s～2min后用烘干机烘干，将该准备制作电极的部分放入化学气相淀积CVD反应室中在10～15L/min H₂流量下加热到1050～1070℃，处理5～15分钟，然后自然降温至600～750℃，以10～15L/min的H₂流量为载气，同步通入1～3L/min CH₄源进行石墨烯的生长，直至石墨烯层数为1～20层，随后用质量浓度为30％-50％缓冲氢氟酸清洗氮化镓生化传感器部件，将二氧化硅掩模去除，就得到了用于氮化镓肖特基生化传感器的接触电极。

9.根据权利要求1所述的用于氮化镓肖特基生化传感器的接触电极的制备方法，其特征在于：将需要制备肖特基接触电极的氮化镓生化传感器部件进行有机清洗，即在60～80℃温度下用纯四氯化碳和纯丙酮分别预清洗氮化镓生化传感器部件8～12min，再用纯四氯化碳、纯丙酮和纯乙醇用超声清洗机对该氮化镓生化传感器部件分别超声清洗8～12min，接着用去离子水清洗该氮化镓生化传感器部件后用烘干机烘干，然后以二氧化硅作为掩模，将氮化镓生化传感器部件不需要制作电极的区域覆盖起来，接着对准备制作肖特基电极的部分表面进行表面处理，表面处理的方法是将氮化镓生化传感器部件在质量浓度5％～10％的盐酸中清洗40s～2min后用烘干机烘干，之后将氧化石墨以1～15mg/ml的比例溶解于纯四氢呋喃中配制而得沉积所用溶液，用超声波振荡沉积所用溶液直至清晰无颗粒状物质后，将溶液旋涂于准备制作肖特基电极的部分表面，同时用烘干机进行烘干，使得石墨烯层数为1～20层，反应结束后，用质量浓度为30％-50％的缓冲氢氟酸清洗氮化镓生化传感器部件，将二氧化硅掩模去除，就得到了用于氮化镓肖特基生化传感器的接触电极。