[发明专利]光学物品、光学物品的制造方法以及电子设备

权利要求书

1.一种光学物品，该光学物品在基板上具有由多个层构成的无机薄膜，该光学物品的特征在于，

所述无机薄膜层叠有多个氧化硅层和多个金属氧化物层，

所述金属氧化物是包含锆、钽或钛中的至少任意一种的金属氧化物，

在所述氧化硅层中混合存在有低密度的氧化硅层、或比该低密度的氧化硅层的密度高的高密度的氧化硅层中的任意一方，

所述无机薄膜的最表层是所述低密度的氧化硅层，而且其表面粗糙度为0.55nm以上且0.70nm以下。

2.根据权利要求1所述的光学物品，其特征在于，

层叠在接近所述最表层的一侧的金属氧化物层是氧化锆层，

所述无机薄膜的最表层是所述低密度的氧化硅层，而且其表面粗糙度为0.6nm以上且0.7nm以下。

3.根据权利要求2所述的光学物品，其特征在于，

在所述氧化锆层中混合存在有密度的氧化锆层、或比该低密度的氧化锆层的密度高的高密度的氧化锆层中的任意一方，至少与所述无机薄膜的最表层相邻的层是所述低密度的氧化锆层。

4.根据权利要求3所述的光学物品，其特征在于，

所述低密度的氧化硅层的密度为2.00g/cm³以上且2.20g/cm³以下，所述低密度的氧化锆层的密度为4.8g/cm³以上且5.4g/cm³以下。

5.根据权利要求1所述的光学物品，其特征在于，

层叠在接近所述最表层的一侧的金属氧化物层是氧化钽层，

所述无机薄膜的最表层是所述低密度的氧化硅层，而且其表面粗糙度为0.55nm以上且0.65nm以下。

6.根据权利要求5所述的光学物品，其特征在于，

在所述氧化钽层中混合存在有低密度的氧化钽层、或比该低密度的氧化钽层的密度高的高密度的氧化钽层中的任意一方，至少与所述无机薄膜的最表层相邻的层是所述低密度的氧化钽层。

7.根据权利要求6所述的光学物品，其特征在于，

所述低密度的氧化硅层的密度为2.00g/cm³以上且2.15g/cm³以下，所述低密度的氧化钽层的密度为7.7g/cm³以上且8.0g/cm³以下。

8.根据权利要求1所述的光学物品，其特征在于，

层叠在接近所述最表层的一侧的金属氧化物层是氧化钛层，

所述无机薄膜的最表层是所述低密度的氧化硅层，而且其表面粗糙度为0.6nm以上且0.7nm以下。

9.根据权利要求8所述的光学物品，其特征在于，

在所述氧化钛层中混合存在有低密度的氧化钛层、或比该低密度的氧化钛层的密度高的高密度的氧化钛层中的任意一方，至少与所述无机薄膜的最表层相邻的层是所述低密度的氧化钛层。

10.根据权利要求9所述的光学物品，其特征在于，

所述低密度的氧化硅层的密度为2.00g/cm³以上且2.15g/cm³以下，所述低密度的氧化钛层的密度为4.50g/cm³以上且4.75g/cm³以下。

11.根据权利要求1至10中的任一项所述的光学物品，其特征在于，

所述低密度的氧化硅层与低密度的金属氧化物层的膜厚的合计为500nm以下。

12.根据权利要求1至11中的任一项所述的光学物品，其特征在于，

在所述无机薄膜的最表层的表面上形成有含氟有机硅化合物膜。

13.根据权利要求2至4中的任一项所述的光学物品，其特征在于，

所述无机薄膜的表面电阻为3.1×10¹⁰Ω/□以下且9.1×10⁹Ω/□以上。

14.根据权利要求5至7中的任一项所述的光学物品，其特征在于，

所述无机薄膜的表面电阻为1.4×10¹¹Ω/□以下且7.7×10⁹Ω/□以上。