[发明专利]在互电容侦测中分析位置的方法与装置

权利要求书

1.一种在互电容侦测中分析位置的方法，其特征在于其包括以下步骤：

由多个感测器取得相应于至少一外部物件接近或触碰一第一信号源的一触敏资讯；

当该触敏资讯包括分别相应于一第一特性与相应于一第二特性的第一部分与第二部分，并且该第一特性与该第二特性相反时，由该第二特性的部分分析是否存在具有相应于一第三特性的一第三部分，其中该第三部分相应于该至少一外部物件接近或触碰该第一信号源；以及

由该第三部分分析出该第三部分中相应于该至少一外部物件的接近或触碰的位置。

2.根据权利要求1所述的在互电容侦测中分析位置的方法，其特征在于其中所述的第一特性与该第二特性之一为正值，并且该第一特性与该第二特性的另一个为负值。

3.根据权利要求1所述的在互电容侦测中分析位置的方法，其特征在于其中所述的第一部分、该第二部分与该第三部分为至少一单一或连续多个正值的集合与至少一单一或连续多个负值的集合的交替组合。

4.根据权利要求3所述的在互电容侦测中分析位置的方法，其特征在于其中所述的第一特性与该第二特性之一为起始于该至少一单一或连续多个正值的集合，并且该第一特性与该第二特性的另一个为起始于该至少一单一或连续多个负值的集合。

5.根据权利要求1所述的在互电容侦测中分析位置的方法，其特征在于其中所述的第一部分相应于至少一接地导体接近或触碰该第一信号源，并且该第三部分相应于至少一提供一交流信号的第二信号源接近或触碰该第一信号源。

6.根据权利要求1所述的在互电容侦测中分析位置的方法，其特征在于其中所述的第三特性为不同于该第二特性的频率。

7.根据权利要求1所述的在互电容侦测中分析位置的方法，其特征在于其中所述的第三特性为该第三部分包括至少一值大于或小于一门槛限值，并且第二部分中第三部分以外的部分不包括任何值大于或小于该门槛限值。

8.根据权利要求1所述的在互电容侦测中分析位置的方法，其特征在于其中所述的第三部分的位置分析包括：

依据该第一门槛限值在该触敏资讯中决定至少一第一起始位置；

依据该第二门槛限值在该触敏资讯中决定至少一第二起始位置；

分别由每一个第一起始位置朝一第一方向的一第一范围进行一第一零交会处位置分析；以及

分别由每一个第二起始位置朝一第二方向的一第二范围进行该第一零交会处位置分析，其中该第一零交会处位置分析所分析出来的零交会处为相应该第三特性的位置，并且该第一范围与该第二范围不包括该第一部分与该第二部分中第三部分以外的部分。

9.根据权利要求8所述的在互电容侦测中分析位置的方法，其特征在于更包括：

由该第一部分分析出相应于该至少一外部物件接近或触碰该第一信号源的位置。

10.根据权利要求9所述的在互电容侦测中分析位置的方法，其特征在于其中所述的第一部分的位置分析包括：

依据该第一门槛限值在该触敏资讯中决定至少一第三起始位置；

依据该第二门槛限值在该触敏资讯中决定至少一第四起始位置；

分别由每一个第三起始位置朝该第二方向的一第三范围进行一第二零交会处位置分析；以及

分别由每一个第四起始位置朝该第一方向的一第四范围进行该第二零交会处位置分析，其中该第二零交会处位置分析所分析出来的零交会处为相应该第一特性的位置，并且其中该第三范围与该第四范围不包括该第二部分。

11.一种在互电容侦测中分析位置的装置，其特征在于其包括：

包括多个感测器的一感测装置；以及

一控制器，执行下列作业：

由多个感测器取得相应于至少一外部物件接近或触碰一第一信号源的一触敏资讯；

当该触敏资讯包括分别相应于一第一特性与相应于一第二特性的第一部分与第二部分，并且该第一特性与该第二特性相反时，由该第二特性的部分分析是否存在具有有相应于一第三特性的一第三部分，其中该第三部分相应于该至少一外部物件接近或触碰该第一信号源；以及

由该第三部分分析出该第三部分中相应于该至少一外部物件的接近或触碰的位置。