[发明专利]一种改善硅衬底的方法及得到的硅衬底

权利要求书

1.一种改善硅衬底的方法，包括：

提供硅衬底；

在所述硅衬底上形成硅酸盐，其中，所述硅酸盐中的金属离子在所述硅衬底中的预定深度具有最大浓度，所述金属离子的浓度随着与所述预定深度的距离增大而逐渐减小；

刻蚀所述硅酸盐并停止在所述预定深度所在平面或接近所述预定深度所在平面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述硅衬底上形成硅酸盐的方法包括：

对所述硅衬底进行金属离子注入，其中，在注入深度上的所述金属离子浓度在所述硅衬底中的预定深度具有最大浓度，所述金属离子的浓度随着与所述预定深度的距离增大而逐渐减小；

对所述硅衬底进行氧化，以形成包含所述金属离子的硅酸盐。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在对所述硅衬底注入金属离子时，在深度上所述金属离子浓度具有高斯分布，高斯分布的峰值位于所述预定深度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述硅衬底上形成硅酸盐的方法包括：

在所述硅衬底上形成氧化硅；

对所述氧化硅和硅衬底进行金属离子注入，以使所述氧化硅形成硅酸盐，其中，所述金属离子在所述氧化硅和硅衬底中的预定深度具有最大浓度，所述金属离子的浓度随着与所述预定深度的距离增大而逐渐减小；

其中，所述预定深度位于或接近于硅衬底和氧化硅的界面处。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在对所述氧化硅和硅衬底进行金属离子注入时，其中，所述金属离子的浓度在所述氧化硅和硅衬底中具有高斯分布，高斯分布的峰值位于所述预定深度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属离子包括Hf、Zr、La、Ti和Ta之一或其组合。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硅酸盐包括HfSiO、ZrSiO、LaSiO、TiSiO和TaSiO之一或其组合。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述刻蚀所述硅酸盐的方法包括：采用TMAH或KOH湿法刻蚀所述硅酸盐。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，在深度上所述硅酸盐中的金属离子的浓度具有高斯分布，高斯分布的峰值位于所述预定深度。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述接近所述预定深度所在平面具体为：与所述峰值所在平面的距离小于等于0.7σ，σ为高斯分布的标准偏差。

11.一种硅衬底，包括分布于所述硅衬底上的金属离子，其中，在所述硅衬底表面上的金属离子具有最大或接近最大的浓度分布。

12.根据权利要求11所述的硅衬底，其中，所述金属离子包括Hf、Zr、La、Ti和Ta之一或其组合。

13.根据权利要求11所述的硅衬底，其中，所述金属离子以硅酸盐的形式存在，所述硅酸盐包括HfSiO、ZrSiO、LaSiO、TiSiO和TaSiO之一或其组合。

14.根据权利要求11所述的硅衬底，其中，在所述硅衬底上进一步包括栅堆叠和源/漏区，所述栅堆叠位于所述硅衬底上，所述源/漏区位于所述栅堆叠的两侧且至少部分嵌入所述半导体衬底中。

15.根据权利要求11至14中任一项所述的硅衬底，其中，衬底上的金属离子浓度具有高斯分布，从所述衬底的表面开始按照高斯分布中的峰值或接近峰值处向同一个方向变化。

16.根据权利要求15所述的硅衬底，其中，所述接近峰值具体为：与所述峰值所在平面的距离小于等于0.7σ，σ为高斯分布的标准偏差。