[发明专利]气敏半导体装置

权利要求书

1.一种气敏半导体装置，其具有由第一沟道电极(12)和第二沟道电极(14)形成边界的半导电的沟道(10)以及与沟道相关的栅电极(16)，所述栅电极(16)与沟道共同作用来使得作为对气体的作用的响应而出现沟道(10)的电导率变化，

其特征在于，

栅电极(16)和/或使栅电极与沟道绝缘的栅极绝缘层(20)和/或能够被设置在栅电极与沟道之间的栅极堆叠层(18)具有两个面区段(22，24)，所述两个面区段(22，24)在对于气体的敏感性方面不同。

2.根据权利要求1所述的装置，

其特征在于，

所述半导体装置是场效应晶体管(FET)形式的半导体器件、尤其是CHEMFET，其中沟道电极实现FET的漏极(12)和源极(14)。

3.根据权利要求1或2所述的装置，

其特征在于，

平坦的栅电极根据所述两个面区段被分成两个由不同材料构成的区域(22，24)，其中所述区域的区域过渡处于沟道电极之间、尤其是横向于沟道(10)的延伸方向走向。

4.根据权利要求1至3之一所述的装置，

其特征在于，

栅电极为了实现所述两个面区段而具有两种不同的金属或者金属化部。

5.根据权利要求1至4之一所述的装置，

其特征在于，

栅电极的两个面区段之一具有气密的涂层、尤其是气密的金属化部。

6.根据权利要求1至5之一所述的装置，

其特征在于，

栅电极的面区段的至少一个具有多孔的、尤其是纳米多孔的和/或有催化活性的涂层。

7.根据权利要求1至4、6之一所述的装置，

其特征在于，

栅电极具有多孔的金属化部，并且栅极堆叠电极为了实现所述两个面区段而具有不同的表面材料。

8.根据权利要求1至7之一所述的装置，

其特征在于用于通过在第一运行模式下在第一沟道电极与第二沟道电极之间施加第一极性的第一电压来进行工作点调节的装置，其中所述用于进行工作点调节的装置被构造用于以受控的方式在第二运行模式下施加与第一极性相反的第二极性的第二电压。

9.根据权利要求8所述的装置，

其特征在于用于在第一和第二运行模式下检测所述半导体装置的运行信号、尤其是在运行时流动的沟道电流以及用于比较所述运行信号和/或形成所述运行信号之间的差的电子分析装置。

10.根据权利要求1至9之一所述的气敏半导体装置的应用，用于实现用于工业和/或住宅自动化、用于监控目的和/或作为废气传感器、尤其是作为车辆技术中的燃烧废气的传感器的气体传感器。