[发明专利]存储器储存装置、存储器控制器与产生对数似然比的方法

权利要求书

1.一种产生对数似然比的方法，用于一存储器储存装置，该存储器储存装置包括具有多个记忆胞的一闪存芯片，其中各该记忆胞具有多个储存状态，该多个储存状态是以至少一位元资料读取电压来区分，其特征在于，该方法包括：

使用该至少一位元资料读取电压从该些记忆胞中获取一读取资料，其中该读取资料对应一第一储存状态，该第一储存状态为该多个储存状态的其中之一；

对该读取资料执行一错误校正程序以获得该读取资料在写入时所对应的一第二储存状态，其中该第二储存状态为该多个储存状态的其中之一；

在所读取的符合一错误统计总数的该多个储存状态中，取得在写入时为该第二储存状态而在读取时为该第一储存状态的一储存错误总数；以及

根据该错误统计总数、该多个储存状态的一储存状态数量，以及该储存错误总数执行一对数运算，以产生该读取资料的一第一对数似然比。

2.根据权利要求1所述的产生对数似然比的方法，其特征在于，该多个储存状态具有一储存状态次序，而在所读取的符合一错误统计总数的该多个储存状态中，取得在写入时为该第二储存状态而在读取时为该第一储存状态的一储存错误总数的步骤还包括：

判断该第一储存状态与该第二储存状态在该储存状态次序中是否相邻；以及

若是，则在所读取的符合该错误统计总数的该多个储存状态中，统计在写入时为该第二储存状态而在读取时为该第一储存状态的该储存错误总数。

3.根据权利要求2所述的产生对数似然比的方法，其特征在于，在判断该第一储存状态与该第二储存状态在该储存状态次序中是否相邻的步骤之后，该方法还包括：

若否，则根据该读取资料包括的一读取位元的值设定该第一对数似然比为正无限大或负无限大。

4.根据权利要求1所述的产生对数似然比的方法，其特征在于，根据该错误统计总数、该多个储存状态的一储存状态数量，以及该储存错误总数执行一对数运算，以产生该读取资料的一第一对数似然比的步骤包括以式(1)来计算：

LLR_c=-(log[SN]-log[W])---(1)]]>

其中LLR_c表示该第一对数似然比，N表示该错误统计总数、S表示该储存状态数量，而W表示该储存错误总数。

5.根据权利要求1所述的产生对数似然比的方法，其特征在于，该存储器储存装置具有一对数似然比查询表，该对数似然比查询表记录该读取资料所对应的一当前对数似然比，而在根据该错误统计总数、该多个储存状态的一储存状态数量，以及该储存错误总数执行一对数运算，以产生该读取资料的一第一对数似然比的步骤之后，该方法还包括：

利用该第一对数似然比取代该对数似然比查询表中的该当前对数似然比。

6.根据权利要求1所述的产生对数似然比的方法，其特征在于，该存储器储存装置具有一对数似然比查询表，该对数似然比查询表记录该读取资料所对应的一当前对数似然比，而在根据该错误统计总数、该多个储存状态的一储存状态数量，以及该储存错误总数执行一对数运算，以产生该读取资料的一第一对数似然比的步骤之后，该方法还包括：

对该第一对数似然比进行一滤波处理以产生一第二对数似然比；以及

利用该第二对数似然比取代该对数似然比查询表中的该当前对数似然比。