[发明专利]一种Ga束流低温辅助清理GaAs图形衬底表面氧化物的方法无效
| 申请号： | 201010500753.0 | 申请日： | 2010-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN102054670A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李占国;刘国军;李联合;尤明慧;高欣;李林;李梅;王勇;王晓华;曲轶;薄报学 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ga 低温 辅助 清理 gaas 图形 衬底 表面 氧化物 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种Ga束流低温辅助清理GaAs图形衬底表面氧化物的方法：在配备有Ga，Al，In，Be，Si和As裂解源炉的传统分子束外延系统中进行的衬底表面氧化物清理。使用的衬底为两英寸GaAs晶片(epi-ready)。晶片开封后，刻蚀出所需图形，经处理后放入无铟的衬底托上并立即传入进样室进行150℃低温除气，除气时间为12个小时。经过初级除气后，将晶片传入准备仓。在进行氧化物清理前，对晶片进行再次除气，除气温度为450℃，当准备仓真空度降到10-9毫巴量级后，停止晶片除气并将其传入生长仓。氧化物清理在生长仓中进行。清理过程包括：首先把晶片缓慢升温到460℃-550℃范围之间的固定温度，然后在无砷保护的条件下，采用6.3×1012atoms·cm-2·s-1的Ga束流连续辐照GaAs衬底。之后进行低密度量子点生长，结构包括：氧化层彻底清理后生长的一层厚度为15纳米的GaAs缓冲层，2.1个分子单层厚的低密度InAs量子点和一层厚度为100纳米的GaAs盖帽层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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