[发明专利]电脑状态侦测电路无效
| 申请号: | 201010300741.3 | 申请日: | 2010-01-26 | 
| 公开(公告)号: | CN102135934A | 公开(公告)日: | 2011-07-27 | 
| 发明(设计)人: | 郗春芳 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 | 
| 主分类号: | G06F11/32 | 分类号: | G06F11/32 | 
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 | 
| 地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电脑 状态 侦测 电路 | ||
技术领域
本发明涉及一种电脑状态侦测电路。
背景技术
现有的电脑经常会工作在多个不同的状态,例如S3状态(睡眠状态)、S4状态(深度睡眠状态)等,用户也可以在BIOS(基本输入输出系统,Basic Input/Output System)里设定电脑的一些功能状态,例如网络唤醒处于有效或无效状态等。有时用户需获知目前电脑所处的状态,以期望电脑在其预想的状态下工作。但目前获知电脑所处状态的方法大都根据电脑的外部表现的特征来作判断,由此使得用户需花费一定的时间与精力,并且极容易出错,无法在短时间内作出正确判断,因此其准确度和效率极低。
发明内容
鉴于以上内容,有必要提供一种可自动侦测电脑各状态的电脑状态侦测电路,方便用户查看。
一种电脑状态侦测电路,包括第一至第三电开关及一第一发光二极管,第一电开关的第一端连接所述第一发光二极管的阴极,还通过一第一电阻连接一第一电源,所述第一发光二极管的阳极通过一第二电阻连接所述第一电源,所述第一电开关的第二端连接一主板上的深度睡眠状态引脚,所述第一电开关的第三端连接所述第二电开关的第一端,所述第二电开关的第二端连接所述第三电开关的第一端,所述第二电开关的第三端接地,所述第三电开关的第一端还通过一第三电阻连接所述第一电源,所述第三电开关的第二端连接主板上的睡眠状态引脚,所述第三电开关的第三端接地,当电脑在睡眠状态时,所述睡眠状态引脚为低电平,所述第三电开关截止,所述第一及第二电开关导通,所述第一发光二极管导通并发光。
本发明电脑状态侦测电路通过电脑在睡眠状态时所述睡眠状态引脚为低电平,所述第三电开关截止,所述第一及第二电开关导通,所述第一发光二极管导通并发光,实现了自动侦测并实时显示电脑的工作状态,便于用户查看。
附图说明
图1是本发明电脑状态侦测电路的较佳实施方式的电路图。
主要元件符号说明
具体实施方式
如图1所示,本发明电脑状态侦测电路用于侦测一电脑的工作状态(S3、S4状态)、网络状态及硬盘工作状态,还用于侦测网络唤醒功能、网络启动功能、低电源功能及管理引擎(Management Engine)功能的无效及有效状态,其较佳实施方式包括一主板插槽(如前置面板插槽)F1、一S3状态侦测电路10、一S4状态侦测电路20、一硬盘工作状态侦测电路30、一结果显示电路40及一南桥芯片50。
所述主板插槽F1包括两接地引脚2、4、两电源引脚5、14、一S3状态引脚6、一S4状态引脚8、一S5状态引脚10、一网络引脚12、一开机引脚1、一网络唤醒功能引脚3、一管理引擎功能引脚7、一低电源功能引脚9、一网络启动功能引脚11及一硬盘工作状态引脚13。接地引脚2及4接地。开机引脚1连接一开机信号端PWRBT。电源引脚5连接电源V1,还通过一电容C1接地。电源引脚14连接电源V2,还通过一电容C2接地。在本实施方式中,所述电源V1为3.3伏特的备用(stand by)电源,所述电源V2为3.3伏特的系统电源。
所述S3状态侦测电路10包括场效应管Q1、Q2及Q3、电阻R1及R2。场效应管Q1的漏极连接结果显示电路40,还通过电阻R1连接电源V1。场效应管Q1的栅极连接S4状态引脚8。场效应管Q1的源极连接场效应管Q2的漏极。场效应管Q2的源极接地。场效应管Q2的栅极连接场效应管Q3的漏极。场效应管Q3的漏极还通过电阻R2连接电源V1。场效应管Q3的栅极连接S3状态引脚6。场效应管Q3的源极接地。在本实施方式中,场效应管Q1、Q2及Q3作为电开关均为一NMOS型场效应管,在其他实施方式中,也可采用其他类型的电开关,例如NPN型三极管等。
所述S4状态侦测电路20包括场效应管Q4、Q5及Q6、电阻R3及R4。场效应管Q4的漏极连接结果显示电路40,还通过电阻R3连接电源V1。场效应管Q4的栅极连接S5状态引脚10。场效应管Q4的源极连接场效应管Q5的漏极。场效应管Q5的源极接地。场效应管Q5的栅极连接场效应管Q6的漏极。场效应管Q6的漏极通过电阻R4连接电源V1。场效应管Q6的栅极连接S4状态引脚8。场效应管Q6的源极接地。在本实施方式中,场效应管Q4、Q5及Q6作为电开关均为一NMOS型场效应管,在其他实施方式中,也可采用其他类型的电开关,例如NPN型三极管等。
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