[发明专利]一种全光控制光开关无效

专利信息
申请号: 201010300549.4 申请日: 2010-01-21
公开(公告)号: CN101762938A 公开(公告)日: 2010-06-30
发明(设计)人: 王涛;肖昆辉;胡志强 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G02F1/35 分类号: G02F1/35
代理公司: 北京市德权律师事务所 11302 代理人: 周发军
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 控制 开关
【权利要求书】:

1.一种全光控制光开关,包括位于底座平台上的核心半导体光学元件、控制光光纤准直器、起偏器、信号光光纤准直器和检偏器;其特征在于,所述的核心半导体光学元件为多量子点层光学元件,所述多量子点层光学元件包括衬底、衬底上外延生长的量子点层和垒层,所述量子点层和垒层相互连续排列,相邻的单个量子点层和垒层的厚度之和为一个布拉格周期厚度;所述量子点层和垒层的总厚度满足使得入射信号光经过所述多量子点层光学元件在通讯波段形成高反射率光谱带。

2.如权利要求1的一种全光控制光开关,其特征在于,所述起偏器和所述控制光光纤准直器依次位于控制光路上,控制光路与多量子点层光学元件输入面垂直;入射的信号光以一定夹角入射至核心半导体光学元件表面,所述检偏器位于所述多量子点层光学元件对于信号光产生的反射光路上,且检偏器偏振方向与起偏器偏振方向平行。

3.如权利要求1或2所述的一种全光控制光开关,其特征在于,所述量子点层为在磷化铟材料上生长砷化铟量子点,垒层由生长的磷化铟构成。

4.如权利要求1或2所述的一种全光控制光开关,其特征在于,所述量子点层为在砷化镓上生长的砷化铟量子点,垒层由生长的砷化镓构成。

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