[发明专利]固态发光元件及光源模组有效
| 申请号: | 201010300440.0 | 申请日: | 2010-01-19 |
| 公开(公告)号: | CN102130269A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
| 发明(设计)人: | 赖志铭 | 申请(专利权)人: | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64;H01L25/13 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 201600 上海市松江区*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固态 发光 元件 光源 模组 | ||
技术领域
本发明涉及一种固态发光元件,以及一种包含该固态发光元件的光源模组。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)作为固态发光元件,其电、光特性及寿命对温度敏感。通常,较高的温度会导致低落的内部量子效应并且寿命也会明显缩短;而半导体的电阻随着温度的升高而降低,滑落的电阻会带来较大的电流及更多的热产生,造成热累积现象的发生;此一热破坏循环往往会加速破坏发光二极管的工作效能。
如图1所示,一种典型的发光二极管100包括:一个封装体102,一个发光二极管芯片104及一个树脂层106。该封装体102是经由在一预制的金属框架1020上注入塑料1022而成形,该发光二极管芯片104设置在该金属框架1020上且与金属框架1020电性连接,该树脂层106与该封装体102相结合以密封该发光二极管芯片104。工作时,该发光二极管芯片104发光时所产生的热量经由该金属框架1020进行散热。然而,由于该金属框架1020既作为一个电极电连接该发光二极管芯片104又用于对发光二极管芯片104进行散热,此增加了发光二极管100的热阻,从而导致该发光二极管100的整体散热性能不佳。
有鉴于此,有必要提供一种散热性能良好的固态发光元件,以及一种包含该固态发光元件的光源模组。
发明内容
下面将以实施例说明一种具有良好散热性能的固态发光元件,以及一种包含该固态发光元件的光源模组。
一种固态发光元件,其包括一个固态发光芯片、一个基体、两个导电层,以及一个导热块。该基体具有一个第一表面及一个相对该第一表面的第二表面,该第一表面上开设一个收容该固态发光芯片的凹槽,且该基体具有由该固态发光芯片延伸至该第二表面的通孔。该两个导电层分别与该固态发光芯片电连接并延伸至基体的第一表面,且相互隔离。该导热块填充在该通孔内且与该固态发光芯片形成热接触。
以及一种光源模组,其包括至少一个固态发光元件、一个电路板,以及一个散热装置。该固态发光元件包括一个固态发光芯片、一个基体、两个导电层,以及一个导热块。该基体具有一个第一表面及一个相对该第一表面的第二表面,该第一表面上开设一个收容该固态发光芯片的凹槽,且该基体具有由该固态发光芯片延伸至该第二表面的通孔。该两个导电层分别与该固态发光芯片电连接并延伸至基体的第一表面,且相互隔离。该导热块填充在该通孔内且与该固态发光芯片形成热接触。该电路板邻近基体的第一表面设置并与该两个导电层电接触,且该电路板开设至少一个对应于该固态发光芯片的光通孔,该固态发光芯片发出的光可经由该光通孔透射至外界。该散热装置位于该基体远离该电路板的一侧且与该导热块热接触。
相对于现有技术,所述固态发光元件中的基体上开设有凹槽及通孔,该凹槽用于收容固态发光芯片,该通孔中填充有与该固态发光芯片热接触的导热块,同时固态发光芯片通过由该凹槽的底面延伸至该第一表面上的两个导电层对其供电,因此,该固态发光元件热电分离,并具有良好的散热性能。
附图说明
图1是现有技术中一种固态发光元件的截面示意图。
图2是本发明第一实施例的固态发光元件的截面示意图。
图3是本发明第二实施例的固态发光元件的截面示意图。
图4是本发明第三实施例的固态发光元件的截面示意图。
图5是本发明第四实施例的固态发光元件的截面示意图。
图6是本发明第五实施例的固态发光元件的截面示意图。
图7是本发明第六实施例的固态发光元件的截面示意图。
图8是本发明第七实施例的光源模组的截面示意图。
图9是本发明第八实施例的光源模组的截面示意图。
图10是本发明第九实施例的光源模组的截面示意图。
主要元件符号说明
具体实施方式
下面将结合附图对本发明实施例作进一步的详细说明。
请参阅图2,本发明第一实施例提供一种固态发光元件10,其包括:一个固态发光芯片11、一个基体122、两个导电层120,一个导热块15,以及一个透光保护层17。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司,未经富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010300440.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种磁动力机
- 下一篇:联系人查找方法和移动终端





