[发明专利]二自由度精密定位工作台无效

专利信息
申请号: 201010300053.7 申请日: 2010-01-06
公开(公告)号: CN101750885A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 田延岭;贾晓辉;张大卫 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 王丽英
地址: 30007*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 自由度 精密 定位 工作台
【说明书】:

技术领域

发明属于一种微操作系统,具体为一种可应用于压印光刻系统的两自由度柔性并联精 密定位工作台。

背景技术

纳米器件包括纳米电子器件和纳米光电器件,可广泛应用于电子学、光学、微机械装置 、新型计算机等,是当今新材料与新器件研究领域中最富有活力的研究领域,也是元器件小 型化、智能化、高集成化等的主流发展方向。纳米器件由于具有潜在的巨大市场和国防价值 ,使得其设计和制造的方法、途径、工艺等成为众多科学家、政府和大型企业研究和投资的 热点。目前,纳米器件的设计与制造正处于一个飞速发展时期,方法多种多样,图形化技术 就是其中之一。

纳米压印光刻技术是人们在探索更方便、价廉的设计和制备纳米器件的过程中开发出来 的图形化技术,用于纳米图形复制并可用来制作三维纳米结构。与其它光刻技术相比,纳米 压印技术具有分辨率高、制作成本低、生产效率高的优点,已成为下一代32纳米工艺的关键 技术。具有极大潜在的竞争力和广阔的应用前景。在国内外纳米压印技术发展过程中,已逐 渐形成了三大主流技术:软压印技术、热压印技术、紫外压印技术。热压印技术可以弥补软 压印工艺中弹性模板材料容易变形的不足,且加工效率比较高,但热压印过程中,光刻胶经 过高温、高压、冷却的变化过程,脱模后产生的压印图形常会出现变形现象,不易进行多次 或三维结构的压印。与前两者相比,紫外压印技术对环境要求较低,仅在室温和低压力下就 可以进行,提高了压印精度。同时由于模板材料采用透明石英玻璃,易于实现模板与基片之 间的对准,这使得紫外压印技术更适合于多次压印。除此以外,模板使用周期长以及适于批 量生产也是紫外压印技术的主要优点。这些特点都使得紫外压印技术在IC制造领域具有不可 替代的优越性。

压印过程看似简单,但要得到较高的压印精度,则需要从多个方面综合考虑。压印过程 中要做到尽可能保证模板与基片的平行,使得模板与基片能够均匀的接触。若模板和基片不 平行,将得到锲形的留模,甚至模板的一端直接接触基片。如果锲形留模的厚度超过压印特 征的高度,那么在后续的干法等厚刻蚀时就会将特征刻蚀掉。同时模板与基片的不平行也将 会导致下压时模板与基片的相对滑移,发生侧向扩张,影响压印精度。另外,在起模时也会 对压印特征造成破坏。因此压印过程中必须保证模板与基片的平行度,即模板与基片的均匀 接触。压印光刻系统结构一般包括以下主要部件:①下压机构;②承载台;③精密定位工作 台;④用于固化光刻胶的紫外光光源等,其中精密定位工作台是压印光刻系统的关键部分, 由它保证模板与基片平行且能够均匀接触,使相对滑动尽可能的小,这样才能保证两者之间 的定位精度,保证压印精度和压印质量。

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