[发明专利]一种非破坏性面发射半导体激光器电流限制孔径测定方法无效
| 申请号： | 201010298989.0 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101975554A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 徐晨;赵振波;解意洋;周康;刘发;沈光地 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G01B11/08 | 分类号： | G01B11/08 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 破坏性 发射 半导体激光器 电流 限制 孔径 测定 方法 | ||
1.一种非破坏性面发射半导体激光器电流限制孔径测定方法，所述测定方法可测量观看所有波段面的发射激光器，其特征在于：所述测定方法可以测定各种面发射半导体激光器电流限制孔，包括可测量长度的刻度显微镜，测定时，首先将待测半导体激光器施加小电流观察，直到半导体激光器出现微弱荧光，便可看到激光器电流限制孔形状光斑，然后用刻度显微镜观察测量光斑尺寸，即可测定电流限制孔孔径尺寸；所述测定方法对于改善模式特性的光子晶体垂直腔面发射激光器、分布孔激光器，可实现刻蚀缺陷孔即出光孔与电流限制孔的相对位置对准观察。
2.根据权利要求1所述的一种非破坏性面发射半导体激光器电流限制孔径测定方法，其特征在于：所述待测半导体激光器为未解理的激光器芯片，其放在探针台上施加小电流测试管芯，进行片上测试。
3.根据权利要求1所述的一种非破坏性面发射半导体激光器电流限制孔径测定方法，其特征在于：所述待测半导体激光器为封装后的激光器器件，封装后的激光器为压焊在热沉管座上的激光器，并用电流源在管座引脚上施加电流进行封装后测试。
4.根据权利要求1所述的一种非破坏性面发射半导体激光器电流限制孔径测定方法，其特征在于：所述刻度显微镜的放大倍数为1000倍，分辨率为0.5微米。
5.根据权利要求1所述的一种非破坏性面发射半导体激光器电流限制孔径测定方法，其特征在于：所述面发射半导体激光器电流限制孔为氧化电流限制孔或离子注入电流限制孔。
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