[发明专利]发光器件、发光器件封装和包括所述发光器件封装的照明系统无效
申请号: | 201010298570.5 | 申请日: | 2010-09-28 |
公开(公告)号: | CN102044607A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 金鲜京 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;吴鹏章 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 封装 包括 照明 系统 | ||
1.一种发光器件,包括:
电极层;
在所述电极层上的发光结构,所述发光结构包括第二导电型半导体层、在所述第二导电型半导体层上的有源层和在所述有源层上的第一导电型半导体层;
在所述发光结构的至少一部分上的织构;和
在具有所述织构的所述发光结构上的电流扩展层。
2.根据权利要求1的发光器件,其中所述织构设置在所述发光结构的所述第一导电型半导体层的至少一部分上。
3.根据权利要求1的发光器件,其中所述发光结构的厚度为5×(λ/n)以下,其中λ是所述有源层的波长,n是所述发光结构的折射率。
4.根据权利要求1的发光器件,包括在所述第一导电型半导体层中的蚀刻停止层。
5.根据权利要求1的发光器件,其中所述有源层不通过所述织构暴露出。
6.根据权利要求2的发光器件,包括在具有所述织构的所述第一导电型半导体层的一部分处的电流阻挡层。
7.根据权利要求6的发光器件,包括在所述电流扩展层上在垂直地和部分地对应于所述电流阻挡层的区域中的第一电极层。
8.根据权利要求7的发光器件,其中所述电流阻挡层包括介电层、第二导电型离子注入层、第二导电型扩展层、非导电型层和非晶层中的至少一种。
9.根据权利要求1的发光器件,其中所述电流扩展层设置在具有所述织构的所述发光结构的整个区域上。
10.根据权利要求1的发光器件,其中所述电流扩展层设置在除了具有所述织构的区域之外的所述第一导电型半导体层上。
11.根据权利要求1的发光器件,包括设置在所述发光结构的上侧上的涂覆元件。
12.根据权利要求1的发光器件,包括设置在所述电流扩展层的上侧上的涂覆元件。
13.根据权利要求11的发光器件,包括在所述发光结构的所述上侧上的磷光体。
14.一种发光器件封装,包括:
封装主体;
在所述封装主体上的权利要求1的所述发光器件;和
在所述封装主体中的电极,所述电极与所述发光器件电连接。
15.一种照明系统,包括:具有权利要求14的所述发光器件封装的发光模块。
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