[发明专利]一种太赫兹波探测器

权利要求书

1.一种太赫兹波探测器，包括透镜、探测元件、信号放大器及电源，所述探测元件以具有较高二维电子浓度的高电子迁移率场效应晶体管为基本结构单元，且所述场效应晶体管具有源电极、栅电极和漏电极，其特征在于：所述太赫兹波探测器的探测元件结构包括三个引线电极、三个低通滤波器以及一组太赫兹波耦合天线，所述场效应晶体管的三个电极与太赫兹波耦合天线相连，共同作为天线；并且所述三个电极分别通过一低通滤波器与对应的引线电极相连。

2.根据权利要求1所述的一种太赫兹波探测器，其特征在于：所述高电子迁移率场效应晶体管为具有较高二维电子气浓度的晶体管，至少包括铝镓氮/镓氮晶体管和铝镓砷/镓砷晶体管中的一种。

3.权利要求1所述一种太赫兹波探测器的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)首先对具有较高二维电子浓度的材料进行表面清洗，并通过激光划片得到预制片；

(2)使用紫外光刻法和等离子体刻蚀法，在预制片上刻蚀出有源区台面，包括二维电子气沟道、欧姆接触区域以及紫外光刻标记；

(3)使用原子层淀积法，在整个预制片表面生长一层三氧化二铝的绝缘栅介质，所述预制片表面包含有源区台面；

(4)利用紫外光刻和湿法腐蚀在欧姆接触区域制备出欧姆接触窗口；

(5)利用电子束蒸发法和lift-off剥离工艺制备出源、漏电极，并经高温退火使源、漏电极形成欧姆接触；

(6)依次通过紫外光刻、电子束蒸发和lift-off剥离工艺制备得到天线结构；通过电子束光刻、电子束蒸发和lift-off剥离工艺制备出纳米栅电极；并通过紫外光刻、电子束蒸发和lift-off剥离工艺制备加厚电极；

(7)采用半导体封装技术，对步骤(6)的成品进行封装。