[发明专利]切割分离发光二极管晶片形成发光二极管芯片的方法无效
申请号: | 201010297409.6 | 申请日: | 2010-09-29 |
公开(公告)号: | CN102437254A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 沈佳辉;洪梓健 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 切割 分离 发光二极管 晶片 形成 芯片 方法 | ||
1.一种切割分离发光二极管晶片形成发光二极管芯片的方法,其包括以下步骤:提供一发光二极管晶片,该发光二极管晶片至少包括基底、形成于基底上的第一半导体层、形成于第一半导体层上的发光层及形成于发光层上的第二半导体层;形成若干由第二半导体层延伸至第一半导体层的第一槽道;在每一第一槽道内再形成由第一半导体层延伸至基底的第二槽道;通过激光切割所述第二槽道底部处形成切口;沿所述切口将发光二极管晶片裂开形成多个发光二极管芯片。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述第一槽道通过蚀刻方式形成。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述第二槽道通过蚀刻方式形成。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述发光二极管晶片还包括形成于所述第二半导体层上的透明导电层。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述发光二极管晶片为氮化镓系III-V族化合物半导体。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于:所述第一半导体层为N型半导体层。
7.如权利要求5所述的方法,其特征在于:所述第二半导体层为P型半导体层。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述基底的材料为蓝宝石、碳化硅或氮化镓中的一种。
9.如权利要求1所述的方法,还包括在形成若干由第二半导体层延伸至第一半导体层的第一槽道之后在第二半导体层上及第一槽道内的第一半导体层上分别形成电极的过程。
10.如权利要求1所述的方法,还包括在每一第一槽道内再形成由第一半导体层延伸至基底的第二槽道之后在第二半导体层上及第一槽道内的第一半导体层上分别形成电极的过程。
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