[发明专利]光电转换装置,光电转换装置材料,光传感器和成像装置有效
| 申请号: | 201010297157.7 | 申请日: | 2010-09-28 |
| 公开(公告)号: | CN102034933A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
| 发明(设计)人: | 养父克行;野村公笃;滨野光正;三井哲朗 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号: | H01L51/46 | 分类号: | H01L51/46;H01L27/30;C07D333/36;C07D409/04;C07D495/04;C07D495/14;C07D333/66;C07D409/12;C07D333/56;C07D409/06;C07D333/76 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 柳春琦 |
| 地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光电 转换 装置 材料 传感器 成像 | ||
1.一种光电转换装置,其包括导电膜,有机光电转换膜和透明导电膜,其中所述有机光电转换膜含有由下式(1)表示的化合物和n型有机半导体:
式(1):
其中R1和R2中的每一个独立地表示被取代的芳基,未被取代的芳基,被取代的杂芳基或未被取代的杂芳基,R3至R11中的每一个独立地表示氢原子或取代基,条件是将酸基排除在外,m表示0或1,n表示0以上的整数,R1和R2,R3和R4,R3和R5,R5和R6,R6和R8,R7和R8,R7和R9,或R10和R11可以彼此结合形成环,并且当n为2以上的整数时,在多个R7和R8中,一对R7,一对R8,或一对R7和R8可以彼此结合形成环。
2.根据权利要求1所述的光电转换装置,其中所述由式(1)表示的化合物是由下式(2)表示的化合物:
式(2):
其中R1至R9,m和n具有与以上相同的含义,R11和R12中的每一个独立地表示氢原子或取代基,并且R11和R12可以彼此结合形成环。
3.根据权利要求2所述的光电转换装置,其中所述由式(2)表示的化合物是由下式(3)表示的化合物:
式(3):
其中R1至R9,m和n具有与以上相同的含义,R13和R14中的每一个独立地表示氢原子或取代基,并且R13和R14可以彼此结合形成环。
4.根据权利要求3所述的光电转换装置,其中所述由式(3)表示的化合物是由下式(4)表示的化合物:
式(4):
其中R1至R9,m和n具有与以上相同的含义,R15至R18中的每一个独立地表示氢原子或取代基,并且R15和R16,R16和R17,或R17和R18可以彼此结合形成环。
5.根据权利要求3所述的光电转换装置,其中所述由式(3)表示的化合物是由下式(5)表示的化合物:
式(5):
其中R1至R9,m和n具有与以上相同的含义,R15和R18至R22中的每一个独立地表示氢原子或取代基,并且R15和R19,R19和R20,R20和R21,R21和R22,或R22和R18可以彼此结合形成环。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的光电转换装置,其中所述n型有机半导体为富勒烯或富勒烯衍生物。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的光电转换装置,所述光电转换装置还包括电子阻挡膜。
8.根据权利要求7所述的光电转换装置,其中以下列顺序层叠所述导电膜,所述电子阻挡膜,所述有机光电转换膜和所述透明导电膜,或以下列顺序层叠所述导电膜,所述有机光电转换膜,所述电子阻挡膜和所述透明导电膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





