[发明专利]存储器集成电路装置及其操作方法有效
申请号: | 201010295866.1 | 申请日: | 2010-09-21 |
公开(公告)号: | CN102024498A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 沈欣彰;吴柏璋;余传英;陈耕晖;张坤龙;洪俊雄 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/14 | 分类号: | G11C16/14 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 集成电路 装置 及其 操作方法 | ||
1.一种存储装置,其特征在于,包括:
一存储集成电路,包括:
多个译码器电路控制多条字线,该多个译码器电路处理字线地址以辨识具有一特殊性的个别字线,该多条字线的一子集以进行一擦除操作于该多条字线的该子集,多个译码器电路的一译码器电路包括:
一反向器,具有一输入及一输出控制一字线以进行该擦除操作,其中该输入的一电压范围是在一第一参考电压与一第二参考电压之间;
逻辑,由一字线地址控制以决定于该擦除操作时该反向器的该输入的一值。
2.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于,该逻辑包括,为该些反向器的一反向器:
介于一反向器决定性节点与该第一参考电压之间的多条电性路径,该多条电性路径于该擦除操作时由该字线地址控制,该反向器决定性节点决定于该擦除操作时该反向器的该输入的该值。
3.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于,该逻辑包括,为该些反向器的一反向器:
介于一反向器决定性节点与该第一参考电压之间的多条电性路径,该多条电性路径于该擦除操作时由该字线地址控制,该反向器决定性节点决定于该擦除操作时该反向器的该输入的该值,该多条电性路径于该擦除操作时关闭控制选取该字线进行该擦除操作的该译码器电路。
4.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于,该逻辑包括,为该些反向器的一反向器:
介于一反向器决定性节点与该第一参考电压之间的多条电性路径,该多条电性路径于该擦除操作时由该字线地址控制,该反向器决定性节点决定于该擦除操作时该反向器的该输入的该值,该多条电性路径的至少一者于该擦除操作时开启,以在进行该擦除操作时控制未被选取字线的该译码器电路。
5.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于,该逻辑包括,为该些反向器的一反向器:
介于一反向器决定性节点与该第一参考电压之间的多条电性路径,该多条电性路径于该擦除操作时由该字线地址控制,该反向器决定性节点决定该反向器的该输入的该值,包括:
该多条电性路径的一第一电性路径于该擦除操作时开启,以在进行该擦除操作时控制未被选取字线的该译码器电路;以及
该多条电性路径的一第二电性路径于一编程操作时开启控制选取该字线进行该编程操作的该译码器电路,且于一读取操作时开启控制选取该字线进行该读取操作的该译码器电路。
6.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于,该逻辑包括,为该些反向器的一反向器:
介于一反向器决定性节点与该第二参考电压之间的一条电性路径,该条电性路径于该擦除操作时开启而不管具有一目前容量的该字线地址是较该多条电性路径更弱。
7.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于,该逻辑包括,为该些反向器的一反向器:
介于一反向器决定性节点与该第二参考电压之间的一条电性路径,该条电性路径于该擦除、编程及读取操作时开启而不管具有一目前容量的该字线地址是较该多条电性路径更弱。
8.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于,该集成电路更包括:
多个预译码器电路由该字线地址控制,且控制该多个译码器电路的该逻辑。
9.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于,该集成电路更包括:
多个预译码器电路由该字线地址控制,且控制该多个译码器电路的该逻辑,其中该多个预译码器电路包含由该字线地址的子集控制的额外逻辑,其在该多个译码器电路之间变动。
10.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于,该输入的该电压范围是在该第一参考电压与该第二参考电压之间,在其中该输入不会有自前级电路限制该输入的该电压范围所造成的阈值电压下降。
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