[发明专利]一种多晶硅的提纯方法

权利要求书

1.一种多晶硅的提纯方法，包括在超声环境中，将多晶硅颗粒浸没于强氧化性溶液中，然后过滤，水洗多晶硅颗粒并干燥；其中，所述多晶硅颗粒的平均粒径不大于1mm，所述强氧化性溶液的pH值为1-6。

2.根据权利要求1所述的提纯方法，其特征在于，所述强氧化性溶液为强氧化物的水溶液；所述强氧化物选自高氯酸盐、高碘酸盐、焦硫酸盐、高锰酸盐、高氯酸、高碘酸、焦硫酸、高锰酸中的一种或多种。

3.根据权利要求2所述的提纯方法，其特征在于，所述强氧化性溶液中，强氧化物的浓度为0.01-100g/l。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的提纯方法，其特征在于，多晶硅中硼含量为3-5ppmw。

5.根据权利要求4所述的提纯方法，其特征在于，所述超声频率为10-60KHZ。

6.根据权利要求1、2、3、5中任意一项所述的提纯方法，其特征在于，所述多晶硅颗粒的平均粒径为500-1000um。

7.根据权利要求1-3中任意一项所述的提纯方法，其特征在于，所述强氧化性溶液中含有酸，所述酸选自盐酸、硫酸、硝酸、磷酸中的一种或多种；所述酸的含量使强氧化性溶液的pH值为1-6。

8.根据权利要求1、2、3、5中任意一项所述的提纯方法，其特征在于，所述多晶硅颗粒的量与强氧化性溶液的质量比为0.001-1.5：1。

9.根据权利要求1、2、3、5中任意一项所述的提纯方法，其特征在于，在20-100℃下，将多晶硅颗粒浸没于强氧化性溶液中10-240min。

10.根据权利要求9所述的提纯方法，其特征在于，所述水洗多晶硅颗粒的方法为：采用超纯水冲洗多晶硅颗粒至中性；在真空条件下对多晶硅颗粒进行干燥处理。