[发明专利]发光二极管光源及其制造方法、具有其的背光源有效

专利信息
申请号: 201010294536.0 申请日: 2010-09-27
公开(公告)号: CN102418851A 公开(公告)日: 2012-04-18
发明(设计)人: 孙海威;刘佳;蔡斯特 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: F21S2/00 分类号: F21S2/00;F21V17/00;F21V19/00;F21V5/02;F21Y101/02
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100176 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 光源 及其 制造 方法 具有 背光源
【权利要求书】:

1.一种发光二极管光源,包括发光二极管发光芯片,其特征在于,所述发光二极管光源还包括:

光均匀结构,位于高于所述发光二极管发光芯片的位置处。

2.根据权利要求1所述的发光二极管光源,其特征在于,还包括位于所述发光二极管发光芯片上方并封装发光二极管发光芯片的封装件,所述光均匀结构位于所述封装件的上表面上。

3.根据权利要求1所述的发光二极管光源,其特征在于,还包括位于所述发光二极管发光芯片上方并封装发光二极管发光芯片的封装件,所述封装件上覆盖有光均匀片,所述光均匀结构位于所述光均匀片上的表面上。

4.根据权利要求2或3所述的发光二极管光源,其特征在于,所述光均匀结构包括:

位于所述发光二极管发光芯片上方沿所述发光二极管光源长度方向的两侧部的各至少一个三棱镜结构;所述三棱镜结构的底面向下,与所述底面相对的顶角向上。

5.根据权利要求4所述的发光二极管光源,其特征在于,所述发光二极管发光芯片上方沿所述发光二极管光源长度方向的两侧部各有至少两个并排排列的、与所述发光二极管光源的长度方向垂直的三棱镜结构。

6.根据权利要求5所述的发光二极管光源,其特征在于,所述发光二极管发光芯片上方沿所述发光二极管光源长度方向的两侧部各有至少三个并排排列的所述三棱镜结构,位于同一侧部的各所述三棱镜结构的顶角的角度沿远离所述发光二极管发光芯片的方向等差地减小。

7.根据权利要求5所述的发光二极管光源,其特征在于,在位于同一侧部的各所述三棱镜结构中,最靠近所述发光二极管发光芯片的所述三棱镜结构的顶角角度为(180-C)度,最远离所述发光二极管发光芯片的所述三棱镜结构的顶角角度为90度,其中C为构成所述三棱镜结构的材料的临界角的角度。

8.根据权利要求2或3所述的发光二极管光源,其特征在于,所述光均匀结构包括:

两个分别位于所述发光二极管发光芯片上方沿所述发光二极管光源长度方向的两侧部的光均匀面;所述光均匀面从中部向沿所述发光二极管光源长度方向的侧部倾斜向下地延伸。

9.根据权利要求2或3所述的发光二极管光源,其特征在于,所述光均匀结构的最靠近所述发光二极管发光芯片的位置与所述发光二极管发光芯片间的连线与竖直方向的夹角在30度至35度之间。

10.根据权利要求1所述的发光二极管光源,其特征在于,还包括位于所述发光二极管发光芯片上方并封装发光二极管发光芯片的封装件,所述封装件上覆盖有光均匀片,所述光均匀结构包括至少两个位于所述光均匀片下表面中部的、并排排列的、垂直于所述光均匀片长度方向的三棱镜结构,所述三棱镜结构的底面向上,与所述底面相对的顶角向下。

11.根据权利要求2或3或10所述的发光二极管光源,其特征在于,所述封装件中含有环氧树脂。

12.根据权利要求3或10所述的发光二极管光源,其特征在于,所述光均匀片由聚乙烯构成。

13.一种背光源,包括光源,其特征在于,所述光源包括至少一个如权利要求1至12中任意一项所述的发光二极管光源。

14.一种制造发光二极管光源的方法,其特征在于,包括:

固定发光二极管发光芯片;

用封装材料封装所述发光二极管发光芯片;

在高于所述发光二极管发光芯片的位置处形成光均匀结构。

15.根据权利要求14所述的制造发光二极管光源的方法,其特征在于,所述在高于所述发光二极管发光芯片的位置处形成光均匀结构包括:

在所述封装材料固化前,将光均匀片放在所述封装材料上,所述光均匀片上具有如权利要求3至10中任意一项所述的光均匀结构;

使所述封装材料固化,从而将所述光均匀片粘结在所述封装材料上。

16.根据权利要求14所述的制造发光二极管光源的方法,其特征在于,所述在高于所述发光二极管发光芯片的位置处形成光均匀结构包括:

在所述封装材料的上表面形成如权利要求2或权利要求4至9中任意一项所述的光均匀结构。

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