[发明专利]谐振器

权利要求书

1.一种谐振器(10)，包括由第一材料和第二材料形成的梁(12)，第一材料具有第一杨氏模量和第一杨氏模量的第一温度系数，第二材料具有第二杨氏模量和第二杨氏模量的第二温度系数，至少在谐振器的工作条件之内第二温度系数的符号与第一温度系数的符号相反，其中第二材料形成位于第一材料上面的层，并且第一材料的截面积与第二材料的截面积的比值沿着梁的长度而改变，实质上垂直于梁测量截面积。

2.根据权利要求1所述的谐振器(10)，包括MEMS谐振器，其中第一材料包括硅。

3.根据权利要求1或2所述的谐振器(10)，其中第二材料包括二氧化硅。

4.根据前述权利要求中任一项所述的谐振器(10)，还包括锚状物(17)，梁具有与锚状物分隔开的尖端(16)。

5.根据权利要求4所述的谐振器(10)，其中第二材料的厚度在锚状物处或附近较大。

6.根据前述权利要求中任一项所述的谐振器(10)，其中第一材料的厚度沿着梁的长度实质上恒定，并且第二材料的厚度沿着梁的长度而改变。

7.根据前述权利要求中任一项所述的谐振器(10)，包括在梁中形成的多个狭缝，并且所述多个狭缝沿着梁的长度的至少一部分纵向延伸。

8.根据前述权利要求中任一项所述的谐振器(10)，其中梁包括顶部表面(20)、相对的底部表面(22)以及两个相对的侧壁(18)，并且第二材料形成围绕梁的顶部、底部和侧壁的表皮，位于侧壁上的第二材料的厚度比位于梁的顶部和底部表面上的第二材料的厚度更大。

9.根据前述权利要求中任一项所述的谐振器(10)，其中第一材料是掺杂的，并且掺杂水平沿着梁的长度而改变。

10.一种制造MEMS谐振器的方法，包括以下步骤：

由第一材料形成梁(12)；

采用第二材料包覆梁；

使得第一材料的截面积与第二材料的截面积的比值沿着梁的长度而改变。

11.根据权利要求10所述的方法，其中通过改变第二材料在第一材料上包覆的比率，改变第一材料的截面积与第二材料的截面积的比值。

12.根据权利要求11所述的方法，其中通过由具有沿着梁的长度而改变的截面积的第一材料形成梁(12)，改变第一材料的截面积与第二材料的截面积的比值。

13.根据权利要求10至12中任一项所述的制造MEMS谐振器的方法，包括由硅衬底形成梁(12)和采用氧化硅层包覆硅衬底的步骤。

14.根据权利要求13所述的方法，其中在采用二氧化硅包覆梁(12)的步骤之前，还执行以下进一步的步骤：

对硅衬底注入杂质，使得杂质的浓度沿着梁的长度而变化。