[发明专利]发光装置及其制造方法有效
申请号: | 201010294325.7 | 申请日: | 2008-06-13 |
公开(公告)号: | CN101950920A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | 神川刚;川口佳伸 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01S5/028 | 分类号: | H01S5/028;H01S5/022 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 葛青 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光装置,包括:
芯片,用于发光;和
光吸收膜,形成在来自该芯片的光发射通过的端部表面的最外表面上,以吸收部分所发射的光,其中
该光吸收膜具有贫氧膜,该贫氧膜是氧化物,并且该贫氧膜的组分比其化学计量组分具有更少的氧。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其中
该贫氧膜包含选自铝、钛、锆、钇、硅、铌、铪、钨和钽所构成的组中至少一种元素。
3.根据权利要求1所述的发光装置,其中
至少部分该光吸收膜是不连续区域,在该不连续区域中该光吸收膜是不连续的;且
至少部分从该芯片发射的光发射通过至少部分该不连续区域。
4.根据权利要求1所述的发光装置,还包括:
保护膜,形成在来自该芯片的光发射通过的该芯片的端部表面上,以保护该端部表面,其中
该光吸收膜形成在该保护膜的表面上。
5.根据权利要求4所述的发光装置,其中
该保护膜具有由包含选自铝、钛、钇、硅、铌、铪和钽所构成的组中至少一种元素的氧化物构成的氧化膜。
6.根据权利要求4所述的发光装置,其中
该保护膜具有包含铝的氮化物、硅的氮化物、铝的氮氧化物和硅的氮氧化物中至少一种化合物的膜。
7.根据权利要求1所述的发光装置,其中
该芯片包括由氮化物半导体构成的层。
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