[发明专利]发光装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010294325.7 申请日: 2008-06-13
公开(公告)号: CN101950920A 公开(公告)日: 2011-01-19
发明(设计)人: 神川刚;川口佳伸 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01S5/028 分类号: H01S5/028;H01S5/022
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 葛青
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光装置,包括:

芯片,用于发光;和

光吸收膜,形成在来自该芯片的光发射通过的端部表面的最外表面上,以吸收部分所发射的光,其中

该光吸收膜具有贫氧膜,该贫氧膜是氧化物,并且该贫氧膜的组分比其化学计量组分具有更少的氧。

2.根据权利要求1所述的发光装置,其中

该贫氧膜包含选自铝、钛、锆、钇、硅、铌、铪、钨和钽所构成的组中至少一种元素。

3.根据权利要求1所述的发光装置,其中

至少部分该光吸收膜是不连续区域,在该不连续区域中该光吸收膜是不连续的;且

至少部分从该芯片发射的光发射通过至少部分该不连续区域。

4.根据权利要求1所述的发光装置,还包括:

保护膜,形成在来自该芯片的光发射通过的该芯片的端部表面上,以保护该端部表面,其中

该光吸收膜形成在该保护膜的表面上。

5.根据权利要求4所述的发光装置,其中

该保护膜具有由包含选自铝、钛、钇、硅、铌、铪和钽所构成的组中至少一种元素的氧化物构成的氧化膜。

6.根据权利要求4所述的发光装置,其中

该保护膜具有包含铝的氮化物、硅的氮化物、铝的氮氧化物和硅的氮氧化物中至少一种化合物的膜。

7.根据权利要求1所述的发光装置,其中

该芯片包括由氮化物半导体构成的层。

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