[发明专利]半导体装置、电力电路及半导体装置的制作方法

说明书

技术领域

所公开的发明的技术领域涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

金属氧化物的种类繁多且用途广。氧化铟作为较普遍的材料被用于液晶显示器等所需要的透明电极材料。

在金属氧化物中存在呈现半导体特性的金属氧化物。作为呈现半导体特性的金属氧化物，例如可以举出氧化钨、氧化锡、氧化铟、氧化锌等，并且已知一种将这种呈现半导体特性的金属氧化物用作沟道形成区的薄膜晶体管(例如，参照专利文献1至专利文献4及非专利文献1等)。

另外，已知金属氧化物不仅有一元氧化物还有多元氧化物。例如，作为包含In、Ga及Zn的多元氧化物半导体，包含同源相(homologousphase)的InGaO₃(ZnO)_m(m：自然数)是众所周知的(例如，参照非专利文献2至4)。

并且，已经确认可以将上述那样的由In-Ga-Zn类氧化物构成的氧化物半导体用作薄膜晶体管的沟道形成区(例如，参照专利文献5、非专利文献5及非专利文献6等)。

[专利文献1]日本专利申请公开昭60-198861号公报

[专利文献2]日本专利申请公开平8-264794号公报

[专利文献3]日本PCT国际申请翻译平11-505377号公报

[专利文献4]日本专利申请公开2000-150900号公报

[专利文献5]日本专利申请公开2004-103957号公报

[非专利文献1]M.W.Prins，K.O.Grosse-Holz，G.Muller，J.F.M.Cillessen，J.B.Giesbers，R.P.Weening，and R.M.Wolf，″A ferroelectric transparent thin-film transistor″(透明铁电薄膜晶体管)，Appl.Phys.Lett.，17June 1996，Vol.68p.3650-3652

[非专利文献2]M.Nakamura，N.Kimizuka，and T.Mohri，″ThePhase Relations in the In₂O₃-Ga₂ZnO₄-ZnO System at 1350℃″(In₂O₃-Ga₂ZnO₄-ZnO类在1350℃时的相位关系)，J.Solid State Chem.，1991，Vol.93，p.298-315

[非专利文献3]N.Kimizuka，M.Isobe，and M.Nakamura，″Syntheses and Single-Crystal Data of Homologous Compounds，In₂O₃(ZnO)_m(m＝3，4，and 5)，InGaO₃(ZnO)₃，and Ga₂O₃(ZnO)_m(m＝7，8，9，and 16)in the In₂O₃-ZnGa₂O₄-ZnO System″(同系物的合成和单晶数据，In₂O₃-ZnGa₂O₄-ZnO类的In₂O₃(ZnO)_m(m＝3，4，and 5)，InGaO₃(ZnO)₃，and Ga₂O₃(ZnO)_m(m＝7，8，9，and 16))，J.Solid State Chem.，1995，Vol.116，p.17O-178

[非专利文献4]中村真佐樹、君塚昇、毛利尚彦、磯部光正，″ホモロガス相、InFeO₃(ZnO)_m(m：自然数)とその同型化合物の合成および結晶構造″(同系物、铟铁锌氧化物(InFeO₃(ZnO)_m)(m为自然数)及其同型化合物的合成以及晶体结构)，固体物理(SOLID STATEPHYSICS)，1993，Vol.28，No.5，p.317-327