[发明专利]通过改变重置振幅的PCM多层单元存储编程

权利要求书

1.一种将一相变化存储装置中的一目标存储单元编程为一目标电阻的方法，其中，所述相变化存储装置包括多个存储单元，每一个存储单元储存由至少二电阻状态代表的二进制数据，且所述目标存储单元属于所述多个存储单元，所述方法包括：

检索用于所述相变化存储装置的一特征最低SET电流以及一相对应SET电阻，其中，所述特征最低SET电流是一SET脉冲的一最小电流振幅，所述SET脉冲是将所述相变化存储装置中的至少一存储单元的一相变化元件由一完全非结晶状态改变为一完全结晶状态所需的一电流脉冲，所述完全结晶状态包含所述相对应SET电阻；

检索用于所述相变化存储装置的一特征RESET电流斜率，其中，所述特征RESET电流斜率包括将所述多个存储单元编程为所述目标电阻所必需的一RESET脉冲的相关电流振幅数值；

以所述相变化存储装置的所述特征最低SET电流、所述相对应SET电阻、以及所述特征RESET电流斜率作为基础来计算用于一RESET脉冲的一第一电流振幅；

将所述RESET脉冲施加至所述目标存储单元；

在施加所述RESET脉冲之后，测量所述目标存储单元的电阻；以及

若是所述目标存储单元的所测得的电阻实质上小于所述目标电阻，则施加一个或多个额外RESET脉冲至所述目标存储单元，直到所述所测得的电阻实质上等于所述目标电阻为止。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，施加所述一个或多个额外RESET脉冲至所述目标存储单元包括：

计算用于所述RESET脉冲的一第二电流振幅，其中，所述第二电流振幅大于一先前施加的电流振幅；以及

重复施加所述RESET脉冲的操作以及测量所述电阻的操作，直到所述所测得的电阻实质上等于所述目标电阻为止。

3.根据权利要求2所述的方法，其还包括，在施加所述RESET脉冲的至少其中之一前，先将所述目标存储单元中的所述相变化元件设定为所述完全非结晶状态。

4.根据权利要求1所述的方法，其还包括：

将具有变化振幅的电流脉冲施加至所述相变化存储装置中的一存储单元样品；

确定将一单独存储单元设定为一完全结晶状态所必需的所述特征最低SET电流以及所述相对应SET电阻；以及

将代表所述特征最低SET电流以及所述相对应SET电阻的数值储存在内存之中。

5.根据权利要求4所述的方法，其还包括：

通过测量所述存储单元样品相关于被施加至所述存储单元样品的具有变化振幅的RESET脉冲电流的所述电阻来确定所述特征RESET电流斜率；以及

将代表所述特征RESET电流斜率的一数值储存在内存之中。

6.根据权利要求1所述的方法，其还包括，在将所述RESET脉冲施加至所述目标存储单元之前，将所述目标存储单元中的一相变化元件编程成为所述完全非结晶状态或是一部份非结晶状态。

7.一种相变化存储装置，包括：

多个存储单元，每一个所述存储单元储存由至少二电阻状态代表的二进制数据；

一目标存储单元，所述目标存储单元属于所述多个存储单元且包括一相变化元件；以及

一写入单元，其被建构为：

检索用于所述相变化存储装置的一特征最低SET电流以及一相对应SET电阻，其中，所述特征最低SET电流是一SET脉冲的一最小电流振幅，所述SET脉冲是将所述相变化存储装置中的至少一存储单元的所述相变化元件由一完全非结晶状态改变为一完全结晶状态所需的一电流脉冲；

检索用于所述相变化存储装置的一特征RESET电流斜率，其中，所述特征RESET电流斜率包括将所述多个存储单元编程为目标电阻所必需的所述RESET脉冲的相关电流振幅数值；

以所述相变化存储装置的所述特征最低SET电流，所述相对应SET电阻，以及所述特征RESET电流斜率作为基础来计算用于一RESET脉冲的一第一电流振幅；

将所述RESET脉冲施加至所述目标存储单元；

在施加所述RESET脉冲之后，测量所述目标存储单元的电阻；以及

若是所述目标存储单元的所测得的电阻实质上小于所述目标电阻，则施加一个或多个额外RESET脉冲至所述目标存储单元，直到所述所测得的电阻实质上等于所述目标电阻为止。