[发明专利]浅沟槽隔离结构形成方法有效
| 申请号： | 201010292403.X | 申请日： | 2010-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102412181A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 杨芸;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构形成方法，包括：
提供表面依次形成有衬垫氧化层和硬掩膜层的衬底；
在所述硬掩膜层、衬垫氧化层和衬底内形成沟槽；
形成填充所述沟槽的填充介质层；
去除所述硬掩膜层，暴露出衬垫氧化层；
其特征在于，还包括：
对所述暴露出的衬垫氧化层进行掺杂离子注入，形成掺杂衬垫氧化层；
去除所述掺杂衬垫氧化层暴露出衬底。
2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述掺杂离子为硼离子、磷离子或者氟离子。
3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述掺杂离子为氮离子。
4.如权利要求3所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，形成掺杂衬垫氧化层的具体工艺条件为：所述掺杂的剂量为3×1014/cm2至4×1015/cm2，所述离子注入能量为200ev至10kev。
5.如权利要求3所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，形成掺杂衬垫氧化层的具体工艺条件为：所述掺杂的剂量为2×1015/cm2至4×1015/cm2，所述离子注入能量为4kev至10kev。
6.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，掺杂衬垫氧化层与填充介质层的刻蚀比率为4∶1。
7.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述衬垫氧化层厚度为70埃至120埃。
8.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层厚度为700埃至1200埃。
9.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，去除所述掺杂衬垫氧化层的工艺为湿法去除工艺。
10.如权利要求9所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述湿法去除工艺为采用浓度为30％～49％氢氟酸溶液去除工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
