[发明专利]一种薄膜结构发光二极管

权利要求书

1.一种薄膜结构发光二极管，其特征在于，包括：外延片、键合衬底以及通孔金属栓；

所述外延片至少包括N型半导体层、位于N型半导体层上的有源层、位于有源层上的P型半导体层；在P型半导体层上依次设有透明导电层和反射层；在所述反射层上设有第一键合金属层；所述外延片上设有凹孔，所述凹孔深至N型半导体层，在所述凹孔内的N型半导体层表面设有N电极；所述外延片以及透明导电层和反射层的表面包裹有第一绝缘保护层，仅将所述第一键合金属层和N电极露出；

所述键合衬底中设有与所述凹孔相对应的通孔；在所述键合衬底上还设有与所述第一键合金属层相配合的第二键合金属层；

所述外延片与所述键合衬底通过第一键合金属层和第二键合金属层键合连接在一起，第一键合金属层或第二键合金属层作为P电极引出；所述通孔和凹孔相对接形成空腔，所述通孔金属栓位于该空腔中与N电极接触，从而将N电极引出。

2.根据权利要求1所述的薄膜结构发光二极管，其特征在于：N型半导体层为N型氮化镓基材料层，P型半导体层为P型氮化镓基材料层，有源层为多量子阱层。

3.根据权利要求1所述的薄膜结构发光二极管，其特征在于：透明导电层采用ITO材料。

4.根据权利要求1所述的薄膜结构发光二极管，其特征在于：第一键合金属层和第二键合金属层采用Ag、Al、Au、DBR材料或者DBR与Al、Ag、Au或者AlAg合金组成的叠层结构。

5.根据权利要求1所述的薄膜结构发光二极管，其特征在于：第一绝缘保护层采用SiO₂材料。

6.根据权利要求1所述的薄膜结构发光二极管，其特征在于：所述通孔金属栓采用Cu金属材料。

7.根据权利要求1所述的薄膜结构发光二极管，其特征在于：所述键合衬底采用陶瓷衬底。

8.根据权利要求1所述的薄膜结构发光二极管，其特征在于：所述键合衬底采用Si衬底，在所述Si衬底表面先包裹有第二绝缘保护层，再在第二绝缘保护层外包裹金属扩散阻挡层，所述第二键合金属层位于金属扩散阻挡层外。

9.根据权利要求8所述的薄膜结构发光二极管，其特征在于：所述第二绝缘保护层采用SiO₂材料。

10.根据权利要求8所述的薄膜结构发光二极管，其特征在于：所述金属扩散阻挡层采用TiN材料。