[发明专利]一种TFT有源矩阵的新型制造方法有效
| 申请号： | 201010290800.3 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102024751A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈龙龙;李喜峰;张建华 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 tft 有源 矩阵 新型 制造 方法 | ||
1.一种TFT有源矩阵的新型制造方法，其特征在于，采用半导体硅加工工艺及微机械加工工艺的方法实现TFT有源矩阵的制作，使TFT有源矩阵的制造与半导体制造工艺、微机械加工工艺相兼容；其工艺步骤如下：1)首先采用半导体工艺在单晶硅晶圆(10)上制作TFT有源矩阵层，2)制作完成之后涂布抗蚀层(80)，3)再采用微机械加工工艺的方法将TFT有源矩阵层与单晶硅晶圆(10)剥离开；4)TFT有源矩阵层经划片之后形成单颗TFT器件，5)将单颗TFT器件转移装配到玻璃基板(90)之上，形成TFT有源矩阵。
2.根据权利要求书1所述的一种TFT有源矩阵的新型制造方法，其特征在于，所述步骤1)的采用半导体工艺在单晶硅晶圆(10)上制作TFT有源矩阵层的工艺步骤是：①选取单晶硅晶圆(10)作为基板，②并在其上热生长氧化硅层(20)作为牺牲层；③之后在氧化硅层(20)上生长一层单晶硅层(30)；④单晶硅层(30)图形化处理之后做离子注入，形成单颗TFT器件的有源区(40)；⑤接着在有源区上生长一层绝缘层(50)；⑥对绝缘层(50)做刻蚀，露出单颗TFT器件的源漏区(60)，并对源漏区(60)作离子注入，形成源极区(61)及漏极区(62)；⑦生长一层金属电极层(70)并作图形化处理，制作得到单颗TFT器件的源电极(71)、漏电极(72)、栅电极(73)，从而得到了单晶硅晶圆(10)上的TFT有源矩阵层。
3.根据权利要求书1所述的一种TFT有源矩阵的新型制造方法，其特征在于，所述步骤5)将单颗TFT器件转移将配到玻璃基板之上的方法：单颗TFT器件装配用键合的方法来实现。
4.根据权利要求书1所述的一种TFT有源矩阵的新型制造方法，其特征在于，所述单颗TFT器件转移到玻璃基板上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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