[发明专利]负电压保护系统及方法

权利要求书

1.一种电子系统，包括：

一连接器单元，以与一主机系统沟通资料；

一电子电路，以储存该资料；以及

一开关，以经由该连接器单元而将该资料传送至该电子电路并从该电子电路对该资料进行传送，其中，该开关包括：

一负电压保护单元，其耦接至该连接器单元；以及

一电晶体开关，其耦接至该负电压保护单元、该连接器单元、以及该电子电路，其中，该负电压保护单元在侦测到一负电压时强迫该电晶体开关关闭。

2.根据权利要求第1项所述的系统，其中，该负电压保护单元侦测在该连接器单元中所接收的一负电压，以及产生一讯号来指示该负电压被接收。

3.根据权利要求第1项所述的系统，其中，该开关更包括一逻辑电路，其耦接至该负电压保护单元以及该电晶体开关，以及其中，该负电压保护单元侦测在该连接器单元上所接收的一负电压，以及输出一第一讯号来指示该负电压被接收，以及该逻辑单元回应接收到该第一讯号而产生一第二讯号来强迫该电晶体开关关闭，并保护该电子电路免于接收该负电压。

4.根据权利要求第1项所述的系统，其中，该开关更包括：

一逻辑电路，其耦接至该负电压保护单元；以及

一驱动器单元，其耦接至该逻辑电路以及该电晶体开关，以及其中，该负电压保护单元侦测在该连接器单元中所接收的一负电压，以及输出一第一讯号来指示该负电压被接收，以及该逻辑单元回应接收到该第一讯号而产生一第二讯号来关闭该电晶体开关，以及该驱动器单元回应该第二讯号被接收而产生一第三讯号来关闭该电晶体开关。

5.根据权利要求第1项所述的系统，其中，该电晶体开关是一N通道互补金属氧化物半导体(CMOS)电晶体装置。

6.根据权利要求第1项所述的系统，其中，该电晶体开关是一三重井(triple-well)N通道场效电晶体(NFET)装置。

7.根据权利要求第1项所述的系统，其中，该电晶体是包括一P井主体的一三重井NFET装置，以及在该电晶体开关中的该P井主体耦接至该开关中的一接地电位，以在该P井主体以及接地之间提供一偏压。

8.根据权利要求第1项所述的系统，其中，该电晶体开关是包括一P井主体的一NFET装置，以及若有一负电压被施加至该电晶体开关的该P井主体，该电晶体开关可操作来阻挡电流并且关闭。

9.根据权利要求第1项所述的系统，其中，该连接器单元是一通用序列汇流排(USB)连接器，该电晶体开关是一USB开关，以及该电子电路是一可携式媒体装置。

10.一种具有负电压保护的开关，包括：

一电晶体，其包括一输入终端、一控制终端、以及一输出终端；

一感测电路，其耦接至该输入终端；

一逻辑电路，其耦接至该感测电路的一输出；以及

一驱动器电路，其耦接至该逻辑电路的一输出以及该电晶体的该控制终端，其中，该逻辑电路在该感测电路于该输入终端上侦测到一负电压时，使该驱动器电路让该电晶体失能。

11.根据权利要求第10项所述的开关，其中：

若该感测电路在该输入终端上侦测到一负电压，该感测电路产生一第一讯号来指示对于该负电压的一侦测，该逻辑电路接收该第一讯号，并产生至少一逻辑讯号，该驱动器电路接收该至少一逻辑讯号，并产生一控制讯号，以及该电晶体接收该控制讯号，并被关闭。

12.根据权利要求第10项所述的开关，其中，该电晶体包括一P井主体，以及若一负电压被耦接至该电晶体的该P井主体，该电晶体可操作来阻挡电流并且关闭。

13.根据权利要求第10项所述的开关，其中，该驱动器电路所产生一控制讯号电压被箝位至一正电压供给。

14.根据权利要求第10项所述的开关，其中，该驱动器电路产生一控制讯号电压，以指示该电晶体开关的复数个操作状态中的其中一个状态。

15.一种负电压保护的方法，包括：

于一电晶体开关的一输入终端上接收一电压讯号；

决定在该输入终端上所接收的该电压讯号是否为一负电压；以及

若在该电晶体开关的该输入终端上所接收的该电压讯号是一负电压时，关闭该电晶体开关。