[发明专利]具有漏极轻掺杂结构的金属氧化物半导体元件的制造方法无效
| 申请号： | 201010290520.2 | 申请日： | 2010-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102412152A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 黄宗义;杨清尧 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/265 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 漏极轻 掺杂 结构 金属 氧化物 半导体 元件 制造 方法 | ||
1.一种具有漏极轻掺杂结构的金属氧化物半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：
提供一第一导电型的基板；
于该基板中形成绝缘结构以定义一元件区；
于该元件区中形成一栅极结构，该栅极结构包括介电层、堆叠层、与栅极结构外部侧壁上的间隔层；
将第二导电型杂质，以加速离子形式，与该基板表面成一倾斜角度，植入该基板，以形成漏极轻掺杂结构，其中，部分加速离子穿越间隔层植入该基板，形成该漏极轻掺杂结构中位于该间隔层下方的部分；以及
将第二导电型杂质，以加速离子形式，植入该基板，以形成源极与漏极。
2.如权利要求1所述的具有漏极轻掺杂结构的金属氧化物半导体元件的制造方法，其中，该第一导电型为P型，且第二导电型为N型。
3.如权利要求1所述的具有漏极轻掺杂结构的金属氧化物半导体元件的制造方法，其中，该第一导电型为N型，且第二导电型为P型。
4.如权利要求1所述的具有漏极轻掺杂结构的金属氧化物半导体元件的制造方法，其中，该绝缘结构为一区域氧化结构或一浅沟槽绝缘结构。
5.如权利要求1所述的具有漏极轻掺杂结构的金属氧化物半导体元件的制造方法，其中，该倾斜角度介于30度与90度之间。
6.如权利要求1所述的具有漏极轻掺杂结构的金属氧化物半导体元件的制造方法，其中，还包含：将该基板在水平面上旋转至少一旋转角度，将具有第二导电型的杂质，以加速离子形式，与该基板表面成该倾斜角度，植入该基板，以形成对称于该栅极结构的漏极轻掺杂结构，其中，部分加速离子穿越间隔层植入该基板。
7.如权利要求6所述的具有漏极轻掺杂结构的金属氧化物半导体元件的制造方法，其中，该旋转角度为：90度、180度、或270度。
8.如权利要求1所述的具有漏极轻掺杂结构的金属氧化物半导体元件的制造方法，其中，该形成漏极轻掺杂结构与形成源极与漏极的步骤，共享同一光罩定义掺杂区域。
9.如权利要求1所述的具有漏极轻掺杂结构的金属氧化物半导体元件的制造方法，其中，该形成漏极轻掺杂结构与形成源极与漏极的步骤，是以全面性植入方式，利用该栅极结构与绝缘结构定义掺杂区域。
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