[发明专利]集成电路及其电源布局与电源布局方法

说明书

技术领域

本发明一般是有关于一种集成电路，且特别是有关于一种集成电路的电源布局(Power Layout)。

背景技术

电源网格连线(Power Grid Connections)与去耦合电容(DecouplingCapacitors)是实施在集成电路的电源布局中。去耦合电容量(Capacitance)协助防止集成电路受到噪声(Noise)或电压变异的影响。在已知方法中，是分别实施电源网格与去耦合电容。因为分别实施之故，去耦合电容需要额外的时间与工作来加入至电源网格中，且在特定的实例中，去耦合电容量并未被最大化。

此外，因为在相同的电源区域(Domain)中，最大的电路区块定义了已知电源网格的边界(例如：矩形)，因此特别是当使用多个电源区域时，不规则形状的布局(例如：非矩形)可能会有浪费的面积。

因此，需要电源布局的新式结构与方法来改善上述的问题。

发明内容

本发明的目的是在提供一种集成电路及其电源布局与电源布局方法，此集成电路及其电源布局具有电源网格单元，并可同时提供去耦合电容。

根据本发明的一实施例提供一种集成电路。此集成电路具有电源布局，且此电源布局包含至少一电源网格单元。上述电源网格单元包含至少一第一电源层与至少一第二电源层，其中第一电源层是配置以耦合至高电源供应电压，且具有位于至少二不同方向的导线，而第二电源层是配置以耦合至低电源供应电压，且亦具有位于至少二不同方向的导线。

根据本发明的另一实施例提供一集成电路的电源布局方法。此电源布局方法包含下列步骤。提供至少一单位电源单元。以至少一单位电源单元填满电源布局中的目标面积，借以实现至少一电源单元。其中，单位电源单元包含至少一电源网格单元，而电源网格单元包含至少一第一电源层与至少一第二电源层。第一电源层是配置以耦合至高电源供应电压，且第二电源层是配置以耦合至低电源供应电压，此外，第一电源层具有位于至少二不同方向的导线，且第二电源层亦具有位于至少二不同方向的导线。

根据本发明的又一实施例提供一种集成电路的电源布局。此电源布局包含至少一电源网格单元、至少一金属层以及至少一组件层。上述电源网格单元包含至少一第一电源层与至少一第二电源层。其中，第一电源层配置以耦合至高电源供应电压，且第二电源层配置以耦合至低电源供应电压。此外，第一电源层具有位于至少二不同方向的导线，且第二电源层亦具有位于至少二不同方向的导线。而上述金属层与组件层均位于电源网格单元之下。

本发明的优点在于，透过电源布局的新式结构，可提供设计的弹性，借此找出制造考虑与电路性能之间的平衡，同时可提供电源布局的有效的面积使用，故可提高具有此电源布局的新式结构的半导体的产品竞争性。

附图说明

为了能够对本发明的观点有最佳的理解，请参照上述的说明并配合相应的附图。相关附图内容说明如下。

图1是绘示根据特定实施例的例示性电源布局的示意图；

图2是绘示根据特定实施例的另一例示性电源布局的示意图；

图3是绘示根据特定实施例的又一例示性电源布局的示意图；

图4是绘示根据特定实施例的具有堆叠层的例示性电源网格的示意图；

图5是绘示根据一实施例的例示性电源布局方法的流程图。

【主要组件符号说明】

100：电源电容单元          102：电源网格单元

102’：电源网格单元        102”：电源网格单元

104：堆叠金属层            104a：堆叠金属层

104b：堆叠金属层           106：组件层

108：VDD层                 108a：VDD层

108b：VDD层                110：VSS层

110a：VSS层                110b：VSS层

200：电源电容单元      202：VSS层

204：介层窗            206：VDD层

208：VDD层             210：VSS层

212：介层窗            302：隔离物

304：电源单元          306：电源单元

308：堆叠层            310：堆叠层