[发明专利]磁控溅射靶结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种磁控溅射靶结构，尤其涉及一种可提高靶材利用率的磁控溅射靶结构。

背景技术

目前磁控溅射技术在工业上有着广泛的应用。磁控溅射工艺中所使用的靶材经多次溅射后慢慢被消耗，靶面上会形成刻蚀区，最终刻蚀区会出现很深的蚀刻坑。蚀刻坑深到一定程度，靶材必须进行更换，否则会影响溅射镀膜的效果，甚至破坏磁控溅射设备。通常磁控溅射的靶材与磁体处于磁控溅射设备中相对固定的状态，如此靶面的刻蚀区就被固定在一个窄小的区域，很容易形成蚀刻坑并失效，靶材的利用率很低。为避免靶材的浪费，需要一种新技术来提高靶材的利用率。

为提高靶材的利用率，中国专利申请200310105218.5报道，采用移动磁体技术，使磁体在溅射镀膜过程中能够移动，从而使靶面的刻蚀区均匀分布，可有效提高靶材的利用率。但此类方法通常需设置其它辅助性装置对靶材和磁体的安装进行改造，方法复杂不易操作。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种简单有效的可提高靶材利用率的磁控溅射靶结构。

一种磁控溅射靶结构，其包括靶材、磁体和基座，所述磁体固定于基座上，所述靶材可移动地设置于基座上与所述磁体相反的另一面。

所述的磁控溅射靶结构采用可移动的靶材，使靶材表面的刻蚀区能够在靶面不同区域出现，从而增加了靶材的有效蚀刻区，提高了靶材的利用率。所述的磁控溅射靶结构简单，可操作性强，性能可靠。

附图说明

图1为本发明一较佳实施例磁控溅射靶结构的剖视图；

图2为本发明一较佳实施例磁控溅射靶结构的后视图；

图3为本发明一较佳实施例磁控溅射靶结构另一状态的剖视图；

图4为本发明一较佳实施例磁控溅射靶结构另一状态的后视图。

主要元件符号说明

磁控溅射靶结构    100

靶材              10

磁体              20

基座              30

通孔              11

螺丝              13

固定螺孔          31

具体实施方式

实施例一

请参阅图1，本发明一较佳实施方式磁控溅射靶结构100包括靶材10、磁体20和基座30，磁体20固定于基座30上，靶材10可移动地设置于基座30上与磁体20相反的另一面。

所述基座30的材质为磁性材料，因此所述磁体20可依靠其与基座30的磁性吸引力而固定于基座30上。

所述靶材10为平面靶材，其可以是金属或合金靶材，也可以是金属氧化物或金属氮化物等陶瓷靶材。

请结合参阅图2，该靶材10上开设有若干通孔11，该若干通孔11于靶材10的如图2中所示方向的左右两侧排布成两列，每一列的每相邻二通孔11之间的间距相同。每一通孔11区别于一般的圆形通孔，而沿图2中所示的水平方向以固定的宽度进行延伸，形成包括呈半圆形的二端壁及连接该二端壁的二侧壁。

该基座30上开设有若干固定螺孔31，每一固定螺孔31的孔半径与通孔11的二端壁的半径相同，每一固定螺孔31可与所述每一通孔11配合，从而可通过若干螺丝13将所述靶材10安装于基座30上。具体为：将螺丝13穿过靶材10的通孔11的其中一端壁并插入基座30的固定螺孔31中，再拧紧螺丝13即可使靶材10固定于基座30上。所述通孔11未设置螺纹，相对应的所述螺丝13与通孔11相配合的部分也未设置螺纹。可以理解的，可在螺丝13的螺帽下套设一垫片以增强靶材10安装于基座30上的紧固性。

请再次参阅图1及图2，螺丝13位于通孔11的如图中所示方向的最左侧，而将靶材10固定于如图所示的位置。当靶材10使用一定时间后，靶材10的靶面上出现蚀刻坑。随着靶材10的消耗，蚀刻坑慢慢变深，在蚀刻坑将穿透靶材10时，此时逐一拧松螺丝13，使靶材10向图中所示方向的左侧移动，使螺丝13位于通孔11的最右侧，再将螺丝13拧紧固定，从而将靶材10固定于如图3及图4所示的位置。由于通孔11的二端壁上未设置螺纹，因此只需稍微拧松螺丝13就可实现靶材10的移动。如此一来，所述靶材10相对基座30及磁体20在图中所示水平方向进行了一定量的平移，靶材10与磁体20的相对位置可被人为地调整，使得靶材10表面的刻蚀区能够在靶面不同区域出现，从而增加了靶材10的有效蚀刻区，提高了靶材10的利用率。