[发明专利]半导体装置和显示装置有效
| 申请号: | 201010288990.5 | 申请日: | 2010-09-10 |
| 公开(公告)号: | CN102024412A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
| 发明(设计)人: | 木村肇;梅崎敦司 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 朱海煜;徐予红 |
| 地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 显示装置 | ||
1.一种半导体装置,包括:
第一晶体管,所述第一晶体管的第一端子电连接于第一布线,所述第一晶体管的第二端子电连接于第二布线;
第二晶体管,所述第二晶体管的栅极电连接于所述第一布线,所述第二晶体管的第一端子电连接于所述第一布线,并且所述第二晶体管的第二端子电连接于所述第一晶体管的栅极;
第一开关,所述第二布线通过所述第一开关电连接于第三布线;
第二开关,所述第二布线通过所述第二开关电连接于所述第三布线;以及
第三开关,所述第一晶体管的栅极通过所述第三开关电连接于所述第三布线。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中将时钟信号输入到所述第一布线。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管分别包含氧化物半导体。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第二晶体管的沟道宽度大于所述第一晶体管的沟道宽度。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管分别包含非晶半导体。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管分别包含非晶硅半导体。
7.一种半导体装置,包括:
第一晶体管,所述第一晶体管的第一端子电连接于第一布线,所述第一晶体管的第二端子电连接于第二布线;
第二晶体管,所述第二晶体管的栅极电连接于所述第一布线,所述第二晶体管的第一端子电连接于所述第一布线,并且所述第二晶体管的第二端子电连接于所述第一晶体管的栅极;
第三晶体管,所述第三晶体管的栅极电连接于第四布线,所述第三晶体管的第一端子电连接于第三布线,所述第三晶体管的第二端子电连接于所述第二布线;
第四晶体管,所述第四晶体管的栅极电连接于第五布线,所述第四晶体管的第一端子电连接于所述第三布线,所述第四晶体管的第二端子电连接于所述第二布线;以及
第五晶体管,所述第五晶体管的栅极电连接于所述第五布线,所述第五晶体管的第一端子电连接于所述第三布线,所述第五晶体管的第二端子电连接于所述第一晶体管的栅极。
8.根据权利要求7所述的半导体装置,其中将时钟信号输入到所述第一布线。
9.根据权利要求7所述的半导体装置,其中所述第一晶体管至所述第五晶体管分别包含氧化物半导体。
10.根据权利要求7所述的半导体装置,其中所述第二晶体管的沟道宽度大于所述第一晶体管的沟道宽度。
11.根据权利要求7所述的半导体装置,其中所述第五晶体管的沟道宽度大于所述第二晶体管的沟道宽度。
12.根据权利要求7所述的半导体装置,其中所述第一晶体管至所述第五晶体管分别包含非晶半导体。
13.根据权利要求7所述的半导体装置,其中所述第一晶体管至所述第五晶体管分别包含非晶硅半导体。
14.一种半导体装置,包括:
第一晶体管,所述第一晶体管的第一端子电连接于第一布线,所述第一晶体管的第二端子电连接于第二布线;
第二晶体管,所述第二晶体管的栅极电连接于所述第一布线,所述第二晶体管的第一端子电连接于所述第一布线,并且所述第二晶体管的第二端子电连接于所述第一晶体管的栅极;
第三晶体管,所述第三晶体管的栅极电连接于第四布线,所述第三晶体管的第一端子电连接于第三布线,所述第三晶体管的第二端子电连接于所述第二布线;
第四晶体管,所述第四晶体管的栅极电连接于第五布线,所述第四晶体管的第一端子电连接于所述第三布线,所述第四晶体管的第二端子电连接于所述第二布线;
第五晶体管,所述第五晶体管的栅极电连接于所述第五布线,所述第五晶体管的第一端子电连接于所述第三布线,所述第五晶体管的第二端子电连接于所述第一晶体管的栅极;以及
第六晶体管,所述第六晶体管的栅极电连接于所述第四布线,所述第六晶体管的第一端子电连接于所述第三布线,所述第六晶体管的第二端子电连接于所述第一晶体管的栅极。
15.根据权利要求14所述的半导体装置,其中将时钟信号输入到所述第一布线。
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