[发明专利]半导体装置和显示装置有效

专利信息
申请号: 201010288990.5 申请日: 2010-09-10
公开(公告)号: CN102024412A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 木村肇;梅崎敦司 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G09G3/20 分类号: G09G3/20
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 朱海煜;徐予红
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 显示装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

第一晶体管,所述第一晶体管的第一端子电连接于第一布线,所述第一晶体管的第二端子电连接于第二布线;

第二晶体管,所述第二晶体管的栅极电连接于所述第一布线,所述第二晶体管的第一端子电连接于所述第一布线,并且所述第二晶体管的第二端子电连接于所述第一晶体管的栅极;

第一开关,所述第二布线通过所述第一开关电连接于第三布线;

第二开关,所述第二布线通过所述第二开关电连接于所述第三布线;以及

第三开关,所述第一晶体管的栅极通过所述第三开关电连接于所述第三布线。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中将时钟信号输入到所述第一布线。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管分别包含氧化物半导体。

4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第二晶体管的沟道宽度大于所述第一晶体管的沟道宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管分别包含非晶半导体。

6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管分别包含非晶硅半导体。

7.一种半导体装置,包括:

第一晶体管,所述第一晶体管的第一端子电连接于第一布线,所述第一晶体管的第二端子电连接于第二布线;

第二晶体管,所述第二晶体管的栅极电连接于所述第一布线,所述第二晶体管的第一端子电连接于所述第一布线,并且所述第二晶体管的第二端子电连接于所述第一晶体管的栅极;

第三晶体管,所述第三晶体管的栅极电连接于第四布线,所述第三晶体管的第一端子电连接于第三布线,所述第三晶体管的第二端子电连接于所述第二布线;

第四晶体管,所述第四晶体管的栅极电连接于第五布线,所述第四晶体管的第一端子电连接于所述第三布线,所述第四晶体管的第二端子电连接于所述第二布线;以及

第五晶体管,所述第五晶体管的栅极电连接于所述第五布线,所述第五晶体管的第一端子电连接于所述第三布线,所述第五晶体管的第二端子电连接于所述第一晶体管的栅极。

8.根据权利要求7所述的半导体装置,其中将时钟信号输入到所述第一布线。

9.根据权利要求7所述的半导体装置,其中所述第一晶体管至所述第五晶体管分别包含氧化物半导体。

10.根据权利要求7所述的半导体装置,其中所述第二晶体管的沟道宽度大于所述第一晶体管的沟道宽度。

11.根据权利要求7所述的半导体装置,其中所述第五晶体管的沟道宽度大于所述第二晶体管的沟道宽度。

12.根据权利要求7所述的半导体装置,其中所述第一晶体管至所述第五晶体管分别包含非晶半导体。

13.根据权利要求7所述的半导体装置,其中所述第一晶体管至所述第五晶体管分别包含非晶硅半导体。

14.一种半导体装置,包括:

第一晶体管,所述第一晶体管的第一端子电连接于第一布线,所述第一晶体管的第二端子电连接于第二布线;

第二晶体管,所述第二晶体管的栅极电连接于所述第一布线,所述第二晶体管的第一端子电连接于所述第一布线,并且所述第二晶体管的第二端子电连接于所述第一晶体管的栅极;

第三晶体管,所述第三晶体管的栅极电连接于第四布线,所述第三晶体管的第一端子电连接于第三布线,所述第三晶体管的第二端子电连接于所述第二布线;

第四晶体管,所述第四晶体管的栅极电连接于第五布线,所述第四晶体管的第一端子电连接于所述第三布线,所述第四晶体管的第二端子电连接于所述第二布线;

第五晶体管,所述第五晶体管的栅极电连接于所述第五布线,所述第五晶体管的第一端子电连接于所述第三布线,所述第五晶体管的第二端子电连接于所述第一晶体管的栅极;以及

第六晶体管,所述第六晶体管的栅极电连接于所述第四布线,所述第六晶体管的第一端子电连接于所述第三布线,所述第六晶体管的第二端子电连接于所述第一晶体管的栅极。

15.根据权利要求14所述的半导体装置,其中将时钟信号输入到所述第一布线。

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