[发明专利]用于电气负载的驱动电路以及包括该电路的电气系统有效

专利信息
申请号: 201010288837.2 申请日: 2010-07-28
公开(公告)号: CN101986541A 公开(公告)日: 2011-03-16
发明(设计)人: A·阿米格希尼;A·波玛;G·迪·比亚塞;V·波勒托 申请(专利权)人: 意法半导体股份有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02J7/14;H02H11/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 意大利阿格*** 国省代码: 意大利;IT
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 电气 负载 驱动 电路 以及 包括 系统
【权利要求书】:

1.一种驱动电路(100;400),包括:

节点(EX;EX1),其可连接到待驱动的负载(LD;LD1);

功率器件(PD;450,DMOS1),其在激活与去激活之间是可切换的,并且具有连接到所述节点的第一端;

其特征在于,所述驱动电路还包括:

电流产生器(I;I1),其具有连接到所述节点的输出,并且至少可在所述功率器件被去激活时启用以产生电流;

所述节点的电压(V(EX))与参考电压(V(REF))的比较器(CP;CP1),配置用于获得比较信号(RESETN;OPLOD),其中所述负载与所述节点的不同电连接状态根据所述比较信号来检测。

2.根据权利要求1所述的电路(100;400),还包括:

电子器件(D,D3),其连接到所述节点,并适于针对所述负载在正确连接状态与错误连接状态之间的转换而在导通和阻断之间切换。

3.根据权利要求2所述的电路(100;400),其中所述电子器件包括二极管(D,D3),其具有连接到所述节点(EX)的相应端,从而在所述负载被正确连接时允许电流的流动,在所述节点被错误连接时中断电流的流动;

所述节点的电压经历与所述负载在正确连接状态与错误连接状态之间的转换相关联的变化。

4.根据权利要求1所述的电路(100),其被配置用于在所述负载(LD)的正确连接状态下禁用所述电流产生器(I),以及在所述负载的错误连接状态下启用所述电流产生器(I)以产生电流。

5.根据权利要求1所述的电路(100,400),其中所述电流产生器(I,I1)用以在所述负载被错误连接到所述节点的参考状态下,提供与涉及所述负载的参考电流相等的电流(Iopen)。

6.根据权利要求5所述的电路(100),其中所述电流产生器是数字可控的,并且包括控制端(1),用以接收控制数字信号(DAT),其适于在电流产生启动与电流产生禁用之间切换所述电流产生器。

7.根据权利要求1所述的电路(100),还包括:

驱动控制器(2),配置用于产生所述功率器件的电驱动电压(VE(gatePD))的;并且

所述功率器件是功率晶体管(PD),其具有连接到所述驱动控制器(2)的控制端(G1),以便接收电驱动电压。

8.根据权利要求1所述的电路(400),其中所述功率器件是H桥电路,其包括:

第一晶体管(DMOS1),具有所述端,并且连接到所述节点(EX1),所述节点(EX1)可连接到所述负载的第一驱动端;

第二晶体管(DMOS3),其串联连接到所述第一晶体管,并且具有连接到所述节点的第二端;

第三晶体管(DMOS2),其具有可连接到另一节点(EX2)的第三端,所述另一节点(EX2)可连接到所述负载的第二供电节点;

第四晶体管(DMOS4),其串联连接到所述第三晶体管,并具有连接到所述另一节点(EX2)的第四端。

9.根据权利要求2和8所述的电路(400),其中所述电子器件是与所述第二晶体管(DMOS3)相关联的寄生二极管(D3)。

10.根据权利要求7或8的电路(100,400),其中所述驱动电路(100,400)被配置用于基于驱动使能信号(FDENB),根据脉冲幅值调制PWM特性来产生驱动电压。

11.根据权利要求10所述的电路(100),还包括:

顺序逻辑器件(5),适于接收所述比较信号(RESETN),并将其与驱动使能信号(FDENB)相结合,以获得可呈现两个逻辑电平的检测信号(DAT);

同步存储器器件(6),被构造用于获取以及在相应的输出(POTOPEN)上传输由所述检测信号呈现的逻辑电平;

逻辑块(7),配置用于命令所述同步存储器器件的逻辑电平的获取和传输。

12.根据权利要求11所述的电路(100),其中所述逻辑块(7)还配置用于:

估计向具有PWM特性的所述驱动使能信号(FDENB)指派的第一占空比;

如果所述第一占空比等于100%,则向所述驱动使能信号(FDENB)指派小于所述第一占空比的第二占空比。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体股份有限公司,未经意法半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010288837.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top