[发明专利]一种结构最简的GPTC过电流保护电路

权利要求书

1.一种由半导体集成工艺制造的GPTC过电流保护电路，其结构仅由限流电阻R、PN结组合D_E和N沟道增强型场效应晶体管(N-MOS)T三者组成。其特征是：限流电阻R与PN结组合D_E相串联，构成“温度采样”支路，并由限流电阻R设定保护温度。

被保护的用户负载R_L与N-MOS相串联，构成“负载控制”支路，为用户负载R_L提供额定的功率输出。其中，N-MOS的工作状态转换由温度采样信号设定与控制，用以实现对过电流的定温保护。

2.根据权力要求1所述的过电流保护电路，其特征是：工作电压E由直流(DC)供电，因产品系列不同，工作电压E可从3.3V调整到250V。

3.根据权力要求1所述的过电流保护电路，其特征是：温度采样支路由限流电阻R与PN结组合D_E的串联构成，温度采样信号可从PN结组合D_E的正极取出，也可从限流电阻R上的某一分压点取出。

4.根据权力要求1所述的过电流保护电路，其特征是：在温度采样支路中，限流电阻R与PN结组合D_E两者的相互位置可以互相调换。

5.根据权力要求1所述的过电流保护电路，其特征是：PN结组合D_E由n个PN结串联构成，n的个数取决于电源电压E与(或)保护温度的高低。

6.根据权力要求1所述的过电流保护电路，其特征是：在温度采样支路中，PN结组合D_E也可由反向PN结取代。

7.根据权力要求1所述的过电流保护电路，其特征是：PN结组合D_E也可用正温度系数的测温元件取代。为实现过电流保护，其相应的场效应晶体管除采用N沟道增强型外，还可采用N沟道耗尽型、P沟道增强型、P沟道耗尽型场效应晶体管。

8.根据权力要求1所述的过电流保护电路，其特征是：过电流保护的本质是对过电流引起的温升进行控制，该过电流保护电路可用于过电流保护，同时也可用于温度控制。