[发明专利]清洗液、清洗方法、清洗系统以及制造微结构的方法

权利要求书

1.一种清洗液，其含有氧化物质和氢氟酸，并显示酸性。

2.根据权利要求1所述的清洗液，其中氧化物质包括选自过氧一硫酸和过氧二硫酸中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的清洗液，其中通过选自电解硫酸溶液、电解加入硫酸溶液中的氢氟酸以及混合硫酸溶液和过氧化氢水溶液中的一种来制备氧化物质。

4.一种清洗方法，其包括：

通过选自电解硫酸溶液、电解加入硫酸溶液中的氢氟酸以及混合硫酸溶液和过氧化氢水溶液中的一种来制备包括氧化物质的氧化溶液，和

向待清洗物体表面提供该氧化溶液和氢氟酸。

5.根据权利要求4所述的方法，其中硫酸溶液的硫酸浓度不小于30重量％以及不大于70重量％。

6.根据权利要求4所述的方法，其中氧化物质包括选自过氧一硫酸和过氧二硫酸中的至少一种。

7.根据权利要求4所述的方法，其中选自氧化溶液的温度和氢氟酸的温度中的至少之一不小于100℃以及不大于110℃。

8.根据权利要求4所述的方法，其中氧化溶液按照顺序或基本上同时地与氢氟酸供给到待清洗物体表面。

9.根据权利要求4所述的方法，其中

将氧化溶液和氢氟酸混合，以及

将混合溶液供给到待清洗物体表面。

10.根据权利要求9所述的方法，其中混合溶液的温度不小于100℃以及不大于110℃。

11.一种清洗系统，其包括：

硫酸电解单元，该硫酸电解单元包括阳极、阴极、在阳极和阴极之间提供的隔离膜、阳极和隔离膜之间的阳极室、以及阴极和隔离膜之间的阴极室，该硫酸电解单元在阳极室内电解硫酸溶液以制备氧化物质；

向阳极室和阴极室供给硫酸溶液的硫酸供给单元；

对待清洗物体进行清洗处理的清洗处理单元；

向清洗处理单元供给氢氟酸的第一氢氟酸供给单元；和

向清洗处理单元供给包括氧化物质的氧化溶液的氧化溶液供给单元。

12.根据权利要求11所述的系统，其中第一氢氟酸供给单元向清洗处理单元供给氢氟酸与氧化溶液供给单元供给氧化溶液按照顺序或基本上同时地进行。

13.根据权利要求11所述的系统，其进一步地包括混合单元，用来混合第一氢氟酸供给单元提供的氢氟酸和由氧化溶液供给单元提供的氧化溶液。

14.根据权利要求11所述的系统，其进一步地包括溶液循环单元，该溶液循环单元回收选自从清洗处理单元中排放的氧化溶液和氢氟酸中的至少一种物质，再补给该至少一种物质到清洗处理单元。

15.根据权利要求14所述的系统，其中溶液循环单元包括加热器，该加热器执行氧化溶液的温度控制。

16.根据权利要求11所述的系统，其中选自阳极和阴极中的至少之一包括在导电的基底元件的表面上形成的导电的金刚石薄膜。

17.一种清洗系统，其包括：

硫酸电解单元，该硫酸电解单元包括阳极、阴极、在阳极和阴极之间提供的隔离膜、阳极和隔离膜之间提供的阳极室、以及阴极和隔离膜之间提供的阴极室，硫酸电解单元在阳极室内电解硫酸溶液以制备氧化物质；

向阳极室和阴极室供给硫酸溶液的硫酸供给单元；

对待清洗物体进行清洗处理的清洗处理单元；

向阳极室供给氢氟酸的第二氢氟酸供给单元；和

向清洗处理单元供给包括氧化物质的氧化溶液氧化溶液供给单元。

18.根据权利要求17所述的系统，其进一步地包括溶液循环单元，该溶液循环单元回收选自从清洗处理单元中排放的氧化溶液和氢氟酸中的至少一种物质，再补给该至少一种物质到清洗处理单元。

19.根据权利要求17所述的系统，其中选自阳极和阴极中的至少之一包括在导电的基底元件的表面上形成的导电的金刚石薄膜。

20.一种制造微结构的方法，其包括通过清洗方法清洗待清洗物体以及形成微结构，

所述清洗法包括：

通过选自电解硫酸溶液、电解加入硫酸溶液中的氢氟酸以及混合硫酸溶液和过氧化氢水溶液中的一种制备包括氧化物质的氧化溶液，和

向待清洗物体的表面提供氧化溶液和氢氟酸。