[发明专利]像素结构有效
申请号: | 201010287507.1 | 申请日: | 2010-09-16 |
公开(公告)号: | CN101997008A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 林松辉;郑孝威;黄铭涌;刘品妙 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/52;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 | ||
1.一种像素结构,其特征在于,包括:
一基板,具有一显示区及位于该显示区旁的一周边区,其中该显示区包含至少一子像素区;
一扫描线,设置于该基板上;
一数据线组,设置于该基板上且位于该子像素区的其中一侧边并与该扫描线交错形成至少一第一交错区,其中该数据线组包括一第一数据线以及一第二数据线,该第一数据线以及该第二数据线相互交错形成至少一第二交错区,且该第一数据线以及该第二数据线相互电性绝缘;
一主动元件,其与该扫描线电性连接且与该数据线组中的该第一数据线或该第二数据线电性连接;以及
一像素电极,位于该子像素区内且与该主动元件电性连接。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该第一数据线以及该第二数据线的极性不相同。
3.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该第一数据线为一完整信号线,该第二数据线包括多个线段,其中位于该第二交错区中的该第二数据线的这些线段其中一个的层别与位于该第二交错区中的该第一数据线的层别是不同的。
4.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该第一数据线包括多个第一线段,该第二数据线包括多个第二线段,其中位于该第二交错区中的该第二数据线的这些第二线段其中一个的层别与位于该第二交错区中的该第一数据线的这些第一线段其中一个的层别是不同的。
5.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,更包含另一数据线组,设置于该基板上且位于该子像素区的另一侧边并与该扫描线交错形成至少一第三交错区,其中该另一数据线组包括一第三数据线以及一第四数据线,且该第三数据线以及该第四数据线相互交错形成至少一第四交错区,而该第三数据线以及该第四数据线相互电性绝缘。
6.根据权利要求5所述的像素结构,其特征在于,该另一数据线组中的该第三数据线以及该第四数据线的极性不相同。
7.根据权利要求5所述的像素结构,其特征在于,该第三数据线为一完整信号线,该第四数据线包括多个线段,其中位于该第四交错区中的该第四数据线的这些线段其中一个的层别与位于该第四交错区中的该第三数据线的层别是不同的。
8.根据权利要求5所述的像素结构,其特征在于,该第三数据线包括多个第一线段,该第四数据线包括多个第二线段,其中位于该第四交错区中的该第四数据线的这些第二线段其中一个的层别与位于该第四交错区中的该第三数据线的这些第一线段其中一个的层别是不同的。
9.一种像素结构,其特征在于,包括:
一基板,具有一显示区及位于该显示区旁的一周边区,其中该显示区包含至少一像素区,且该像素区具有一第一子像素区以及一第二子像素区;
一扫描线,设置于该基板上;
一第一数据线组,设置于该基板上且位于该像素区的其中一侧边并与该扫描线交错形成至少一第一交错区,其中该第一数据线组包括一第一数据线以及一第二数据线相互交错形成至少一第二交错区,且该第一数据线以及该第二数据线相互电性绝缘;
一第二数据线组,设置于该基板上且位于该像素区的另一侧边并与该扫描线交错形成至少一第三交错区,其中该第二数据线组包括一第三数据线以及一第四数据线相互交错形成至少一第四交错区,且该第三数据线以及该第四数据线相互电性绝缘;
一第一主动元件,其与该扫描线电性连接且与该第一数据线组中的该第一数据线或该第二数据线电性连接;
一第一像素电极,位于该第一子像素区内且与该第一主动元件电性连接;
一第二主动元件,其与该扫描线电性连接且与该第二数据线组中的该第三数据线或该第四数据线电性连接;以及
一第二像素电极,位于该第二子像素区内且与该第二主动元件电性连接。
10.根据权利要求9所述的像素结构,其特征在于,该扫描线是位于该像素区的中间并且位于该第一子像素区以及该第二子像素区之间。
11.根据权利要求9所述的像素结构,其特征在于,该扫描线是位于该像素区的一侧边。
12.根据权利要求9所述的像素结构,其特征在于,该第一数据线组中的该第一数据线以及该第二数据线的极性不相同。
13.根据权利要求9所述的像素结构,其特征在于,该第二数据线组中的该第三数据线以及该第四数据线的极性不相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的