[发明专利]等离子蚀刻装置用硅制零件及其再生方法

说明书

技术领域

本发明涉及等离子蚀刻装置用硅制零件及其再生方法。

背景技术

以往，例如在半导体装置的制造领域等中，使用等离子蚀刻装置，该装置用于对半导体晶圆、液晶显示装置用的玻璃基板等实施蚀刻处理等规定的等离子处理。

考虑到要对硅制的半导体晶圆、各种硅膜等进行处理，在等离子蚀刻装置中使用各种硅制零件。例如，在等离子蚀刻装置中，以往使用硅制的聚焦环(focus ring)作为以围绕被载置在载置台上的半导体晶圆的方式配置的聚焦环。另外，也使用硅制的电极板作为与载置台对置设置的对置电极的电极板。

在上述等离子蚀刻装置中，上述硅制的聚焦环等硅制零件因暴露在等离子体中而消耗、劣化，形状发生变化等。因此，工艺的再现性逐渐恶化，若仍继续使用上述零件，则所要执行的工艺将偏离管理值。那么，在达到了一定程度的消耗、劣化的时刻，上述零件将被视作使用寿命已到，作为工业废弃物而被废弃。但是，由于上述等离子蚀刻装置用硅制零件是昂贵的零件，因此成为与等离子蚀刻装置的运转相对应的消耗品成本(COC(Cost of Consumables))增加的一个原因。

作为上述问题的解决对策，有人提出了下述方法，即、对使用完毕的硅制聚焦环实施机械加工而获得第1环和第2环，将该第1环和第2环组合起来从而再生与使用前的硅制聚焦环具有形状互换性的组合型硅制聚焦环(例如参照专利文献1。)。但是，在将实施了机械加工的环组合起来的方法中，只限于组合具有相同的电学特性、形状等的环，因此存在只能再生非常有限的环的问题。

另外，例如在太阳能电池的制造领域中，有人提出了下述方法，即、针对含有特性不良的太阳能电池单元的硅晶圆，进行利用氢氟酸处理将该晶圆的防反射膜和背面的银电极膜除去的工序、利用盐酸处理将铝电极层除去的工序，然后进行利用硝酸与氢氟酸的混合液处理或氢氧化钠处理将杂质层除去的工序，从而返回到可重新形成硅制太阳能电池单元的状态(例如参照专利文献2。)。但是，这样将含有特性不良的太阳能电池单元的硅晶圆再生的方法，例如并不能应用于再生各种使用完毕的等离子蚀刻装置用硅制零件。

专利文献1：日本特开2004-79983号公报

专利文献2：日本特开2005-166814号公报

如上所述，在等离子蚀刻装置中，昂贵的等离子蚀刻装置用硅制零件成为消耗品成本增加的一个原因。另外，以往没有能够再生各种使用完毕的等离子蚀刻装置用硅制零件等的有效方法，所以成为工业废弃物的产生量增加的一个原因。

发明内容

本发明是为了解决上述以往的问题而做成的，目的在于提供相比以往能够降低等离子蚀刻装置的消耗品成本、并且能够减少工业废弃物的产生量、有效地充分利用资源的等离子蚀刻装置用硅制零件的再生方法和等离子蚀刻装置用硅制零件。

本发明提供一种等离子蚀刻装置用硅制零件的再生方法，该等离子蚀刻装置用硅制零件配置在用于收容基板并对该基板进行蚀刻处理的等离子蚀刻装置的处理室内部，其特征在于，该方法包括：回收等离子蚀刻装置用硅制零件和半导体晶圆用硅锭中任一个的硅制废料的工序；根据所回收的上述硅制废料的电学特性求出杂质的含量的测量工序；根据上述测量工序中求得的杂质的含量和最终产品的电学特性的目标值来决定上述硅制废料的投入量、硅原料的投入量和杂质的投入量的投入量决定工序；将上述硅制废料、硅原料和杂质以在上述投入量决定工序中决定的投入量投入到坩锅中、制造硅锭的工序。

本发明提供一种等离子蚀刻装置用硅制零件，该等离子蚀刻装置用硅制零件配置在用于收容基板并对该基板进行蚀刻处理的等离子蚀刻装置的处理室内部，其特征在于，该零件含有利用等离子蚀刻装置用硅制零件的再生方法再生得到的硅，该方法包括：回收等离子蚀刻装置用硅制零件和半导体晶圆用硅锭中任一个的硅制废料的工序；根据所回收的上述硅制废料的电学特性求出杂质的含量的测量工序；根据上述测量工序中求得的杂质的含量和最终产品的电学特性的目标值来决定上述硅制废料的投入量、硅原料的投入量和杂质的投入量的投入量决定工序；将上述硅制废料、硅原料和杂质以在上述投入量决定工序中决定的投入量投入到坩锅中、制造硅锭的工序。

采用本发明，能够提供相比以往可以降低等离子蚀刻装置的消耗品成本、并且能够减少工业废弃物的产生量、有效地充分利用资源的等离子蚀刻装置用硅制零件的再生方法和等离子蚀刻装置用硅制零件。

附图说明

图1是表示本发明的一实施方式的等离子蚀刻装置用硅制零件的再生方法的工序的流程图。

图2是示意性地表示等离子蚀刻装置的结构例的纵剖视图。