[发明专利]dB线性过程无关可变增益放大器

权利要求书

1.一种栅极电压控制电路，包含：

具有栅极、源极和漏极的第一MOSFET；

反馈回路，包含：

反馈晶体管；

串联在所述反馈晶体管的发射极与所述第一MOSFET的漏极之间的第一电阻；

配置成在所述反馈晶体管的集电极处提供线性电流的反馈元件，所述反馈元件与所述反馈晶体管的集电极连接；以及

接收源自所述反馈电阻与所述反馈晶体管的集电极之间的节点的反馈电压的运算放大器，所述运算放大器提供用作栅极控制电压的输出，在所述第一MOSFET的栅极处接收到所述栅极控制电压，所述栅极控制电压调整所述第一MOSFET和所述第一电阻的组合的跨导；以及

具有栅极、源极和漏极的第二MOSFET，所述第二MOSFET与所述第一MOSFET匹配，所述第二MOSFET的栅极被连接成接收所述栅极控制电压。

2.如权利要求1所述的栅极电压控制电路，其中，所述栅极控制电压按所述第二MOSFET的接近对数线性关系产生漏极到源极跨导。

3.如权利要求1所述的栅极电压控制电路，其中，所述第二MOSFET是跨导电路的一部分。

4.如权利要求3所述的栅极电压控制电路，其中，所述跨导电路是提供与控制电压相关的对数线性增益输出的放大器的一部分，所述栅极电压控制电路适用于接收控制电压，所述控制电压具有预定范围。

5.如权利要求3所述的栅极电压控制电路，其中，所述跨导电路是衰减器电路的一部分。

6.一种可变增益放大器，包含：

跨导放大器，所述跨导放大器包含：

包含第一MOSFET的第一跨导器电路；以及

包含第二MOSFET的第二跨导器电路，所述第二跨导器电路与所述第一跨导器电路并联；

具有第一栅极控制电压输出端的第一栅极电压控制电路，所述第一栅极控制电压输出端与所述第一MOSFET的栅极连接，所述第一栅极电压控制电路包含：

具有栅极、源极和漏极的第三MOSFET；以及

第一反馈回路，包含：

第一反馈晶体管；

串联在所述第一反馈晶体管的发射极与所述第三MOSFET的漏极之间的第一电阻；

与所述第一反馈晶体管的集电极串联的第一反馈元件；以及

接收源自所述第一反馈电阻与所述第一反馈晶体管的集电极之间的第一节点的第一反馈电压的第一运算放大器，所述第一运算放大器提供用作第一栅极控制电压的第一输出，在所述第一MOSFET的栅极处接收所述第一栅极控制电压，所述第一栅极控制电压被连接成控制所述第三MOSFET和所述第一电阻的组合的跨导；以及

具有第二栅极控制电压输出端的第二栅极电压控制电路，所述第二栅极控制电压输出端与所述第二MOSFET的基极连接，所述第二栅极电压控制电路包含：

具有栅极、源极和漏极的第四MOSFET；以及

第二反馈回路，包含：

第二反馈晶体管；

串联在所述第二反馈晶体管的发射极与所述第四MOSFET的漏极之间的第二电阻；

与所述第二反馈晶体管的集电极串联的第二反馈元件；以及

接收源自所述第二反馈电阻与所述第二反馈晶体管的集电极之间的第二节点的第二反馈电压的第二运算放大器，所述第二运算放大器提供用作第二栅极控制电压的第二输出，在所述第二MOSFET的栅极处接收所述第二栅极控制电压，所述第二栅极控制电压被连接成控制所述第四MOSFET和所述第二电阻的组合的跨导。

7.如权利要求6所述的可变增益放大器，其中，所述第一反馈晶体管是双极结型晶体管。

8.如权利要求6所述的可变增益放大器，其中，在所述第三MOSFET的栅极处接收所述第一栅极控制电压，并且其中在所述第四MOSFET的栅极处接收所述第二栅极控制电压。

9.如权利要求6所述的可变增益放大器，其中，所述第一MOSFET和所述第三MOSFET是匹配的MOSFET器件。

10.如权利要求9所述的可变增益放大器，其中，所述第二MOSFET和所述第四MOSFET是匹配的MOSFET器件。