[发明专利]金属绕穿型背接触太阳电池、制备方法及其组件

权利要求书

1.一种金属绕穿型背接触太阳电池，其包括：

电池衬底之中的第一导电类型区域和设置在所述第一导电类型区域之上的第二导电类型区域；

形成于所述电池衬底的正面的、与所述第二导电类型区域电性连接的副栅线；

穿过所述电池衬底的通孔；

基于所述通孔与所述副栅线连接的、构图形成于所述电池衬底的背面的主栅电极；

构图形成于所述电池衬底的背面的、与所述第一导电类型区域电性连接的第二电极；以及

用于隔离所述主栅电极和所述第二电极的第一隔离槽；

其中，所述第二电极还用于对其所接触的所述第二导电类型区域自对准补偿掺杂，所述第一导电类型区域所产生的电流通过被自对准补偿掺杂的第二导电类型区域输出至所述第二电极。

2.如权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第一隔离槽通过准湿法刻蚀构图形成、或者通过激光构图形成。

3.如权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述主栅电极中设置镂空区域。

4.如权利要求3所述的太阳电池，其特征在于，所述镂空区域设置为方块形状、圆孔状或其他不规则形状，其并设置在所述通孔之间。

5.如权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第二电极为铝或者铝合金材料。

6.如权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，每条所述副栅线与对应所述主栅电极的连接处设置两个或两个以上所述通孔。

7.如权利要求1或2或3或5所述的太阳电池，其特征在于，所述主栅电极为银或者银合金材料。

8.如权利要求1或2或3或5任一所述的太阳电池，其特征在于，还包括形成于所述第二导电类型区域之上的正面的减反射层。

9.如权利要求8所述的太阳电池，其特征在于，所述减反射层为氮化硅。

10.如权利要求1或2或3或5任一所述的太阳电池，其特征在于，所述第一导电类型区域为p型半导体区域，所述第二导电类型区域为n型半导体区域。

11.如权利要求5所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池还包括设置于所述电池背面的连接点。

12.如权利要求11所述的太阳电池，其特征在于，所述连接点与所述主栅电极同为银或者同为银合金材料，所述连接点与所述主栅电极同步丝网印刷或钢网印刷形成。

13.如权利要求1或2或3或5任一所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池还包括在所述电池衬底正面和/或背面形成的、位于所述太阳电池的四周边沿区域的边沿隔离区。

14.如权利要求13任一所述的太阳电池，其特征在于，所述边沿隔离区上设置有第二隔离槽。

15.一种金属绕穿型背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，其包括步骤：

(1)提供用于制备太阳电池的第一导电类型的电池衬底；

(2)在所述电池衬底中形成定位形成通孔；

(3)对所述电池衬底表面进行第二导电类型的掺杂以形成第二导电类型区域；以及

(4)在所述电池衬底背面上构图形成主栅电极以及第二电极以及在所述电池衬底正面构图形成副栅线，所述第二电极对其所接触的所述第二导电类型区域自对准补偿掺杂。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，在步骤(4)之后，还包括步骤：激光刻槽形成隔离槽。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述隔离槽包括：用于隔离所述主栅电极和所述第二电极的第一隔离槽；以及设置在所述太阳电池的四周边沿区域的边沿隔离区的第二隔离槽。

18.如权利要求15所述的方法，其特征在于，在步骤(3)之后、步骤(4)之前，还包括步骤：准湿法刻蚀形成用于隔离所述主栅电极和所述第二电极的第一隔离槽。

19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，在准湿法刻蚀所述第一隔离槽时，同时准湿法刻蚀所述太阳电池的四周边沿区域的边沿隔离区的PN结。

20.如权利要求15或16或18所述的方法，其特征在于，所述通孔通过光刻刻蚀、机械打孔、激光打孔或电子束打孔形成。